DRAM和NAND Flash毛利率或在今年年中触顶.doc

《DRAM和NAND Flash毛利率或在今年年中触顶.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、DRAM和NANDFlash毛利率或在今年年中触顶　　电子发烧友早八点讯：存储供应紧俏，业者获利直线上冲，口袋赚饱。外资警告，厂商砸钱增产，DRAM和NANDFlash的毛利率可能会在今年年中触顶。　　巴伦周刊（Barronˋs）7日报导，SusquehannaFinancialGroup的MehdiHosseini表示，存储业者的资本开支超过50亿美元，是毛利触顶的预兆，2013年第四季和2015年Q1、Q3都是如此（见下图）。该行估计，2017年Q1、Q2存储业的资本开支都高于50亿美元门槛；由此看来，2017年毛利率可能会在年中或

2、年末触顶。　　　　（Source：Flickr/TIernantechCCBY2.0）　　Hosseini警告，苹果采购完iPhone8所需的内存之后，相关需求可能骤减。报告称，今年下半NAND供给将转为宽松，主因48层NAND制程加速转往64层，而且三星平泽（Pyeongtaek）厂也启用。与此同时，Kingstom等模组厂的库存增加至6~8周水位，打算趁着苹果iPhone8下单NAND时，推升实际销售。　　报告称，存储业者中，WesternDigital（WD）、SanDisk毛利率波动较小，情况优于美光（MU）、SK海力士（SKH

3、ynix）、三星电子。这是因为WD、SanDisk不受DRAM市场力量冲击，而且都和日厂东芝（Toshiba）合资生产，可分担成本。　　声明：电子发烧友网转载作品均尽可能注明出处，该作品所有人的一切权利均不因本站转载而转移。作者如不同意转载，即请通知本站予以删除或改正。转载的作品可能在标题或内容上或许有所改动。