如何打破半导体设备国产化率低的困境 套路也是进步.doc

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1、如何打破半导体设备国产化率低的困境套路也是进步　　在极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项(简称“集成电路专项”)以及其他国家相关产业政策的推动下，近年来我国半导体设备产业取得较快进步，部分关键设备从无到有，实现了与国际先进技术水平的同步发展。同时，部分国产设备进入大生产线，在产业化进程上取得突破。在此情况下，如何让产品在推向市场的过程中获得合理的利润，以利持续发展，成为国产设备厂商关注的重点。　　半导体设备国产化率提升存挑战　　中国半导体行业要想实现从跟随到引领的跨越，设备产业的成长是重要环节之一。但是半导体设备行业却存在技术难度大，进入门槛高的特点。目前为止，我

2、国半导体设备领域仍然存在着国产化率较低的问题。　　对此，半导体专家莫大康指出，上世纪80年代末期开始，半导体设备企业开始把工艺能力整合在设备中，让用户买到设备就能保证使用，并且达到工艺要求。因此有“一代器件，一代设备”之说。这是半导体设备如此昂贵的原因，也是国内企业面对的极大挑战。　　此外，一台设备从研发、样机开始，必须经过大量硅片通过等工艺试验，才能发现问题，并进行改型。这样的过程要重复多次，改型多次后才能最后定型。另外，出厂前还要经过马拉松试验，测算平均无故障时间等。　　这对实力尚弱的国产设备厂商来说，也是一个巨大的挑战。　　SEMI中国区总裁居龙也表示：“目前

3、中国设备正在取得从0到1的突破，但是要认识到这一进程的长期性。”　　《中国制造2025》对于半导体设备国产化提出了明确要求：在2020年之前，90～32纳米工艺设备国产化率达到50%，实现90纳米光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在2025年之前，20～14纳米工艺设备国产化率达到30%，实现浸没式光刻机国产化。“集成电路专项”加速产业整体布局　　尽管存在挑战，经过多年来的不断培育，特别是在国家“02专项”等政策的扶持下，国产半导体设备产业还是取得了一定进步。日前，科技部会同北京市和上海市人民政府组织召开了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套

4、工艺”成果发布会。在过去的九年里，集成电路专项对中国半导体设备产业整体布局，既有全面填空，又有重点突破。　　根据成果发布，北方华创通过近九年的科技攻关，完成了刻蚀机、磁控溅射、氧化炉、低压化学气相沉积、清洗机、原子层沉积等集成电路设备90/55/40/28纳米工艺验证，实现了产业化。公司的刻蚀机等三大类集成电路设备进入14纳米工艺验证阶段，首次实现与国外设备同步验证。在集成电路专项的支持下，12英寸集成电路设备实现从无到有，并实现批量销售，成为公司的主要收入