模拟电子技术基础-自测题答案

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1、WORD格式整理第1章半导体二极管及其基本应用1．1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极

2、管。7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。8．测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。1．2单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(C)。A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B)。A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将(C)。A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D)。、A．整流B．稳压C．发光D．可变电

3、容器1．3是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×)第2章半导体三极管及其基本应用2．1填空题1．晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。4．当温度升高时，晶

4、体管的参数β增大，ICBO增大，导通电压UBE减小。5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数β约为99。学习参考资料分享WORD格式整理6．某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过10mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过20mA；当工作电流IC=2mA时，UCE不得超过30V。2．2单选题1．某NPN型管电路中，测得UBE=0V，UBC=—

5、5V，则可知管子工作于(C)状态。A．放大B．饱和C．截止D．不能确定2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为(B)。A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶体管3．输入(C)时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A．正弦小信号B．低频大信号C．低频小信号D．高频小信号5．当UGS＝0时，(B)管不可能工作在恒流区。A．JFETB．增强型MOS管C．耗尽型MOS管D．NMOS管2．3是非题1．可以采用小信号电路模型进行

6、静态工作点的分析。(×)2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。(√)5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。(√)2．4分析计算题1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。解：(a)UBE=UB—UE＝0.7—0＝0.7V，发射结正偏；UBC=UB—UC＝0.7—3＝—2.3V，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。(b)UBE=UB—UE＝2—3＝—1V，发射结反偏；UBC=UB—UC＝2—5＝—3V，集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。(c)UBE=UB—UE＝3—2.3＝0

7、.7V，发射结正偏；UBC=UB—UC＝3—2.6＝0.4V，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。(d)该管为PNP型晶体管UEB=UE—UB＝(—2)—(—2.7)＝0.7V，发射结正偏；学习参考资料分享WORD格式整理UCB=UC—UB＝(—5)—(—2.7)＝—2.3V，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。3．放大电路如图T2．3所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。第3章放大电路基础3．1填空题1．放大电路的输入电压Ui＝10mV，输出电压U0＝1V，该放

8、大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电压也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。4．差分放大电路的输入电压U