《电子技术基础》自测题.doc

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1、《电子技术基础》自测题一、名词解释1、半导体2、本征半导体3、共价键4、空穴5、P型半导体6、N型半导体7、PN结8、电流放大系数9、死区电压10、截止区11、饱和区12、放大区13、耦合14、直流负载线15、滤波16、稳压17、静态工作点18、电压放大倍数19、负反馈20、反馈系数21、共模抑制比22、通频带23、直接耦合24、运算放大器25、晶闸管26、维持电流27、可控整流电路28、峰点29、单结晶体管30、主电路31、触发电路32、峰点电压33、峰点电流34、谷点电

2、压35、谷点电流36、控制角37、导通角38、模拟信号39、数字信号40、门电路41、“与”逻辑42、“或”逻辑43、“非”逻辑44、组合逻辑电路45、时序逻辑电路46、双稳态触发器47、单稳态触发器48、无稳态触发器49、寄存器50、译码器51、编码器52、脉冲宽度53、脉冲幅度54、脉冲周期55、脉冲前沿56、脉冲后沿57、正脉冲58、负脉冲59、截止失真60、饱和失真二、填空题1、在半导体中，有()和()两种载流子导电。2、在纯净半导体中，掺入三价元素，就会形成()型半导

3、体，如掺入五价元素，就会形成()型半导体。3、在P型半导体中，()为多数载流子，而在N型半导体中，()为多数载流子。4、PN结具有()导电性，其导电的方向是从()到()。5、点接触型二极管适用于()，而面接触型二极管适用于()。6、将交流电变成单方向直流电的过程，称()。7、由直流负载所获得电压波形，可分为()整流电路和()整流电路。8、单相桥式整流电路，输出侧直流电压是交流电压有效值的()倍。9、硅二极管的死区电压约为()伏，而锗二极管的死区电压约为()伏。10、半导体中的空穴电流是由

4、于()递补()而产生的。11、在交流放大电路中，当三极管的()正向偏置，而()反向偏置时，三极管具有电流放大作用。12、滤波电路的主要作用是()，使输出的直流电压波形较()。13、在简单稳压电路中，稳压环节包括()和()。14、在单相半波整流电路中，若交流电压为10伏，输出的直流电压约为()伏，二极管承受的最高反向电压约为()伏。15、由NPN三极管组成的放大电路中，输出电压波形的正半周失真，则产生了()失真，它的静态工作点位置()。16、如果NPN三极管放大电路的输出电压波形负半周失真，产

5、生()失真，它的静态工作点()。17、若某放大电路中三极管的三个管脚电位分别为7伏、3.6伏、3伏，则三个管脚分别为()极、()极和()极。18、已知某三极管放大电路的IB=10μA，IC=1mA，则该管的电流放大系数约为()。19、在交流放大电路中，测得UCE值近似等于电源电压，集电极电流IC≈0，则该管处于()状态。20、在交流放大电路中，如果测得IC≈，而UCE≈0，则该管处于()状态。21、如果适当增大集电极电阻RC，则放大电路的静态工作点将()移动，电压放大倍数Au将()。22、在放大电路

6、中，调节基极电阻RB，就会改变()电流，即可改变()位置。23、在交流放大电路中，输出电压与输入电压的相位()，所以也可称单管放大电路为()器。24、晶体三极管的输入端，可以等效为()，它的计算公式为()。25、晶体三极管的输出端，可等效为()，它与基极电流的关系为()。26、交流负反馈可以稳定放大电路的()。27、如果需要稳定放大电路的输出电压，并且还要减少信号源的负担，在电路中应引入()负反馈。28、射极输出器属于()负反馈电路，它的电压放大倍数()。29、射极输出器的输出电压与输入电压相位()，

7、因此它也叫做()器。30、射极输出器的()电阻高，()电阻低。31、功率放大电路的主要目的是使负载()，为此应减少()。32、绝缘栅场效应管根据导电沟道的不同，可分为()和()两种类型。33、在栅—源极之间加正向电压，才能存在导电沟道的绝缘栅场效应管，称为()型场效应管。34、串联型稳压电源，主要由()、()、()和()四部分电路组成。35、差动放大电路的共模抑制比等于()，其值愈大，表示()能力愈强。36、双端输出的差动放大电路，电压放大倍数是单端输出的()。37、运算放大器的理想条件是()、()

8、、()和()。38、运算放大器在理想化条件下，在线性运行时的分析依据是()和()。39、晶闸管的三个电极分别是()、()和()。40、当晶闸管的阳极电流减少到()时，晶闸管由导通变为截止。41、晶闸管的导通角与控制角的关系是()。42、单结晶体管具有()极和二个()极的半导体器件。43、单结晶体管的伏安特性有()特性，利用这一特性，可构成晶闸管的()电路。44、晶闸管的过电流保护，可采用()、()和()三种保护方式。45、晶闸管的过电压保护，可利用()吸