磷化铟晶体中与配比相关的缺陷密度分析

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时间:2019-02-01

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1、IV万方数据目录第一章绪论.........................................................................................................................11.1磷化铟材料概况.............................................................................................................11.1.1磷化铟材料的基本性质

2、......................................................................................11.1.2磷化铟材料的应用领域......................................................................................21.2化合物半导体材料的化学配比.................................................................

3、....................31.3位错的基本介绍.............................................................................................................41.4国内外磷化铟研究背景.................................................................................................51.5本课题的选题意义.......

4、..................................................................................................61.6本论文的内容及结构安排.............................................................................................7第二章磷化铟材料的合成及生长技术...............................................

5、..............................92.1磷化铟合成技术简介.....................................................................................................92.1.1溶质扩散合成法................................................................................................102.1.2水平布里奇曼法和水平

6、梯度凝固法................................................................102.1.3直接合成法........................................................................................................112.2磷注入合成技术基本介绍.....................................................................

7、......................122.2.1磷注入合成原理................................................................................................122.2.2磷注入合成方法................................................................................................132.3磷化铟单晶生长技术简介............

8、...............................................................................162.3.1液封直拉技术..................

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