衬底温度对mocvd法沉积zno透明导电薄膜的影响

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1、第’)卷第"期&##$年"月物理学报.JD2’),J2",+CF9I,&##$%###B"&(#;&##$;’()#");%’)"B#’W-YWO@Z5[-W5[[-W%&##$-I?12OIV<25J92"""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""""衬底温度对!"#$%法沉积&’"透明导电薄膜的影响!!陈新亮薛俊明张德坤孙建任慧志赵颖耿新华(南开大学光电子薄膜器件与技术研究所和天津市重点实验室;南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津"###$%)(&##’

2、年%&月(日收到;&##)年*月&%日收到修改稿)研究了衬底温度对+,-./技术制备的01,薄膜的微观结构和光电特性影响234/和56+的研究结果表明,衬底温度对01,薄膜的微观结构有显著影响,明显的形貌转变温度大约发生在%$’7,低于%$’7,薄膜呈镜面结构,晶粒为球状,高于%$$7的较高温度范围,薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织;随着温度增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大2绒面结构的未掺杂01,薄膜具有%$8()9:&>&;.·<的高迁移率和"8&*=%#!·9:的低电阻率,对01,薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于5?薄膜太

3、阳电池的前电极2关键词:+,-./,01,薄膜,透明导电氧化物,太阳电池()##:)*’’,$&*#6,*%%’@[A—%#](5SFCVOVFJDVA泛用作硅基薄膜太阳电池(5JDCF9LDD)的前电极2然到较低电阻率(X%#!·9:)的镜面结构;为应用于而,它们在氢等离子体氛围环境下光学特性发生恶太阳电池前电

4、极,溅射后的01,薄膜须采取湿法刻[%%—%"]化,限制了其在微晶硅("9B5?:@)太阳电池中作为透蚀才能形成绒面结构,以期获得良好光散射能[%]明导电前电极应用2随后,01,薄膜引起了科研力2调制绒面结构时,湿法腐蚀起关键作用,因此,工作者的广泛兴趣,01,是#B$族具有纤锌矿结构在大面积腐蚀01,薄膜形成绒面结构时具有高的的直接宽带隙化合物半导体材料,晶格常数!M风险性和造成材料浪费(腐蚀后薄膜厚度减少)2然"8&A()N,"M’8&#)’N,在室温下的禁带宽为"8")而,+,-./技术可直接生长出绒面结构的01,薄[%A—%)]L.201,

5、薄膜结构天然存在锌间隙和氧空位,使其膜,薄膜生长过程为无粒子轰击的热分解过呈现1型半导体(归因于其结构包含大量空位,容易程,沉积温度低2在+,-./制备应用于薄膜太阳电[&]提供间隙原子;另外受热容易失去氧)2它不仅可池前电极过程中,衬底温度对薄膜的物理性能起到[%$]以在氢等离子体环境中具有高的稳定性并且能够实重要作用,并且基于以往研究结果并不一致,因现优良光电特性(低电阻率、绒面结构,高透过率)的此,本文利用+,-./技术研究了衬底温度对未掺低温生长,从而成为薄膜太阳电池中极具竞争力的杂01,薄膜的结构、电学和光学特性的影响2["]透明导电膜2

6、目前生长01,薄膜的方法很多,包括脉冲激光&8实验方法沉积(OP/),分子束外延(+Q6),金属有机物化学气相沉积(+,-./),射频;直流溅射(4R;/-图%为本实验室自主研制的+,-./设备的示5SGTTLF?1U),电子束反应蒸发(6Q46),喷雾热分解意图2它是利用二乙基锌和水作为反应源,制备薄!天津市自然科学基金(批准号:#A")#A(%%)和天津市科技攻关项目(批准号:#A"%*)’%%)资助的课题2!6B:C?D:9EDFGHIJGK%)"89J:!5.)物理学报5.卷!956时,几乎(!*!)峰方向择优取向,占主导地位/由于’(#薄

7、膜的晶体结构是六角密排的R+S结构,因此,若(!!*)方向优先取向则表明!轴平行于衬底[!9]表面生长,此时薄膜呈现绒面结构,而(**4)方向择优取向则表明!轴垂直于衬底表面生长,薄膜表面呈现镜面结构/对于太阳电池前电极来说,制备图!"#$%&系统示意图膜太阳电池用大面积’(#透明导电膜的"#$%&系统,其反应腔室的直径为)*+,,宽度为-.+,,衬底为垂直方向放置/反应源装在鼓泡器中并放置于温控水浴罐中,经由01气鼓泡并携带反应气源进入反应室;实验中,二乙基锌&2’(和水34#的温控水浴罐分别稳定在)56和.*6;二乙基锌和水的流量分图4’(#薄

8、膜在不同衬底温度下的BC&衍射谱别设定为-!5789和)>875,真空!,:;<,=(!,:;<,=(室反应气压为5-*?

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