低温磁控溅射zao薄膜工艺及性能研究

低温磁控溅射zao薄膜工艺及性能研究

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时间:2019-02-06

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1、哈尔滨T程大学硕十学何论文摘要氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁带II.VI族半导体材料。Al掺杂的ZnO称为ZAO。ZAO薄膜具有优良的光电特性,原材料来源丰富,成本低廉,无毒,化学稳定性和热稳定性好等优点。因此,ZAO薄膜的制各近年来成为光电特性薄膜的研究重点。本文通过低温直流反应磁控溅射法,在80。C的玻璃基片上制备了ZAO薄膜并对其进行真空退火处理,用x射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、四探针测试仪等分析检测方法,对薄膜进行测试分析,探索了低温磁控溅射ZA0

2、薄膜制备工艺。实验结果表明,经过原位沉积和退火处理的试样均有明显的C轴择优取向和良好的光电特性。薄膜制备工艺和真空退火工艺的最佳参数为:靶基距6cm,溅射时间30min,氧气分压12%,溅射功率60W;退火温度500℃,退火时间1.5小时。用最佳工艺参数制备的ZAO薄膜,在380nm波长附近处的最高透过率为90%,最低电阻率为2.52x100Q·cm;经过最佳真空退火工艺处理的ZAO薄膜,在380nm波长附近处的最高透过率为92%,最低电阻率为5.63×10。4Q.cm。关键词tZAO薄膜,低温,磁控溅射,

3、真空退火哈尔滨T程大学硕士学何论文AbstractZnOisaII·-VIsemiconductormaterialwithwidedirectband·-gapandhasahexagonalwurtzitestructure.ZAOisamaterialofA1一dopedZnO.ZAOfilmshavemanyadvantagesofexcellentelectricalandopticalproperties,cheapandabundantrawmatedals;ttontoxicity,high

4、thermal'chemieasandthermaltabilitystability.Therefore,thepreparationofZAOfilmsbecomethefocusinthefieldwhichintheelectricalandopticalfilmsstudiesinrecentyears.Inthispaper,ZAOfilmswerepreparatedat80"0lowtemperatureandvacuumannealingtheas—depositedfilms。X-ray

5、diffraction(XRD),scanningelectronmicroscope(SEM),four—pointprobeandotherequipmentsforcharacterizeandanalysisofthefilms.ThepurposeoftheexperimentistoexploreZAOfilms’preparationtechnologybydirectcurrent(DC)magnetronsputteringreactivemagnetronsputteringmethod

6、,Theexperimentalresultindicatedthat,forpreparinghighlyorientedalongc-axis,electricalandopticalpropertiesZAOfilms.Theoptimizedgrowingandvacuumannealingparametersare:Thetarget—substrate(TSD)is6cm,thedepositiontimeis30min,02flowrateis12%,sputteringpoweris60彤v

7、acuumannealingtemperatureis500。C,vacuumannealingtimeis1.5hours.Attheoptimizedgrowingparameters:ZAOfilms’optimaltransmissivityreaches90%at380nmwavelengthandthelowestelectricalresistivityis2.52x10。3Q·cm;attheoptimizedvacuumannealingparameters:ZAOfilms’optima

8、ltransmissivityreaches92%at380nmwavelengthandthelowestelectricalresistivityis5.63x10‘3Q·cm.哈尔滨T程人学硕十学位论文Keywords:ZAOfilms,lowtemperature,magnetronsputtering,vacuumannealing哈尔滨工程大学学位论文原创性声明本人郑重声明:本论文的所有工作,是在导师

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