电磁屏蔽导电涂料用导电填料的制备研究

电磁屏蔽导电涂料用导电填料的制备研究

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时间:2019-02-06

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1、牲抟墨学院硕士学位论文摘要随着电子工业的迅速发展以及通讯设备和各种商用、家用电子产品的口益普及,电磁波辐射危害日趋严熏。为提高电子产品性能和竞争力,改善人类的生活环境,对其采取抗干扰措施势在必行。采用电磁屏蔽导电涂料进行屏蔽电磁波是一种行之有效且经济的方法,导电填料做为导电涂料的重要组成部分,其性能、形貌及粒度分布都赢接影响着电磁屏敲导电涂料的屏蔽效果。本论文针对国内外导电填料的研究状况,重点研究了金属类导电填料舸制备。采用液相化学还原法,以抗坏血酸为还原剂.NH—m0、乙二胺或印TA为络台剂,制备了卜一10№表面光滑的片状超细铜粉。结果表明t以NH—H以为络合剂效里最好;N

2、睡·H:0用量以N‰·地O与cuSO一摩尔比等于0.5:1为宜;反应温度越高,铜粉粒应越小,产率越人;随硫酸铜浓度的增大.铜粉粒度变小.产率变化不大。采用机械球磨法高能球磨铜箔制备2--20脚的片状超细铜粉,结果表明:在转速为Z20转/分钟时,以料球比等十10:1、球磨10h为宣。使用整合分散裁EDTA螯台分数c0+,一次性制备了具有常温抗氧化性能的镀银铜粉,结果表明:EDTAJ__J量阻EDTA与AgNO。摩尔比在l~1.25:1的范围内为宜;AgN()3最佳浓度为0.0125mol/L;反应温度越低越好;AgN魄用量越多越好。使用螫台萃取剂RE608螯合苹取c一‘,避免[

3、cu(m。)。r吸附于锕粉表面阻碍置换反应的继续进行,~次性制各了具有常温抗氧化性能的镀银铜粉,制得的镀银铜粉表面比较光滑.结果表明:RE608Ⅲ量越多越好,以每萃取‰olcu“使用1.2L稀释的RESOR为直;最佳反应温度为80"Cl反应时间以20min为宣;AgNOa浓度越小越好。采用液相还原法H』抗坏血酸还原cu2+和Ag’直接制备了平均粒径为15姗的片状台金粉Sht㈨和平均粒径为2m的球形合金粉s“№,的混合合金粉.其具有优电的抗氧化性和导电性。结果表明t旭N魄用量越多、反应温度越低制得的铜银舍金粉的性能越好,60℃、CuSO-,和AgN0a浓度均为0.2moi,L、

4、cus也溶液与AgNO,溶液体积诧等于lO}lO时.可制得在煅烧过程中(<700"C)铜未被氧化的铜银合金粉;硫酸铜浓度越太越好。关键词:电磁屏蔽导屯滁料:导电填料;片状超细铜粉;镀银铜粉;铜银台金粉牲褥l学院硕士学位论文AbsttactWiththedcvelopmentofclectronicsindustryandthespreadofcommunicationequipmentsandhouseholdelectronicsproducts,theharmoftheelectromagneticwaveradiateisgraduallyserious.Inorder

5、toimprovetheperformanceandcompetingabilityofelectronicsproductsandamelioratethelivingenvironmentofpeople,theanti-interferencemeasureshouldbeadopted.itisvalidandeconomictoshieldtheelectromagneticwavebymeansofade’ptingelectromagneticshieldingconductlvingpaint.Conductivingfillingisauimportantp

6、artofconductivingpaint,itsfunction,topographyandgranularitydirectlyaffecttheshieldingperfolmanceoftheconductivecoat.Inthisthesis,thepreparationofmetalconductivefillingwasstudiedaccordingtohomeandabroadresearchesofconductivefilling.Withchemicalreductionmethod,flakeultrafinecopperpowderwithdi

7、ameterfroml“mto10umwasproducedbyusingascoorbitacidasreductiveagentandaqueousammonla(NH3。H20】,disodinmEDTAorethanediamineaseomplexingagent.TheresultsindicatedthatitwasbettertouseNH3‘H20ascomplexingagentandthemolratioofNH3·H20toCuS04was0.5:l;withthereaclio

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