有机电致发光显示器件的制备及性能研究

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1、有机电致发光显示器件的制备及性能研究摘要有机电致发光显示器件(OLED)在上世纪末成为了平板显示领域一颗耀眼的明星。它具有主动发光、宽视角、响应速度快、低驱动电压、高分辨率、高亮度、优秀的色饱和度等一系列优点，在显示和照明等光电领域具有诱人的前景。目前，国内外已经有大量的厂家、研究所以及高校投入了大量的人力和物力对其进行开发和研究。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了材料外，器件的结构设计也十分重要。文章首先探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻

2、璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率；在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1．2uIn左右时，光刻效果理想。此外，文章研究了真空蒸镀Mg电极薄膜的特性，因为蒸镀过程直接影响着Mg膜的微观结构和各项特性，而进一步调整优化Mg膜的微观结构可以改善器件的各项性能。为了增加基底的表面张力，使得Mg原子更好的附着，在沉积Mg膜之前，先对基底进行等离子处理；通过采用不同的沉积速率沉积薄膜，发现金属

3、镁难以形成良好的晶态膜；在不同的基底上沉积镁膜后发现镁膜的生长存在择优取向的特性。最后；对镁膜进行热处理发现，热处理不仅可以降低Mg膜的方块电阻以及其表面粗糙度，并且明显提高了Mg膜的附着力。本文进一步研究了阴极材料对器件性能的影响，实验发现镁银合金作为阴极时，器件性能良好；采用LiF作为电子注入层后，器件的发光亮度和发光效率有明显提高。其中，LiF和Mg／Ag的厚度存在最佳值，可以使器件性能达到最优效果。文章还对空穴注入层对器件性能的影响以及有机层Alq3和NPB的稳定性进行了讨论。当CuPc作为空穴注入层时，其厚度在5～

4、15nm之间有一个最佳值，使得器件启亮电压和寿命之间存在最佳平衡，CuPc层厚度的改变不影响器件的发光颜色；当2T-NaTa作为空穴注入层时，得到的器件性能要优于CuPc作为空穴注入层时的器件性能。本文研制了三层结构的小分子有机电致发光屏。采用真空蒸镀的方法沉积有机薄膜和金属阴极薄膜，制备出以Alq3为发光层的绿色有机电致发光器件，并在此基础上对器件的一些工艺参数和材料的性能进行了研究和进一步优化，得到理想的发光屏。关键词：有机电致发光，．真空沉积，电极，发光效率，发光亮度，镁膜r“sPREPARATIONANDPERFoR

5、MANCERESEARCHoFORGANICLIGHTEMITTINGDEⅥCEABSTRACTOLEDhasbecomeashiningstarinthepaneldiSplayfieldsincetheendofthelastcentury．Thistechnologyexhibitsabrightandinsidiousprospectinphotoelectricityfieldduetoitsadvantagesofactiveluminescence，wide、risuflangle，lowdrivevoltag

6、e，quickrespondspeed，highdistinguishratio，highbrightuessetc．N。wadays，OLEDhavebeencommerciallyresearched蠹dproduceathomeandabroad．However,someproblems，suchaslight—emitting，t+．奇mechanism,stabilityandlifetime，stillneedtoresolve．Inthepaper,materialsandstructureofOLEDared

7、iscussed，expectingtoincreasetheperformanceof．fdisplay．First，thesurfacetreatmentandphotoetchingprocessofITOglassareexplored．ThecleaningdegreeofITOsurfacewillseriouslyeffectthequalityofphotoetchingandtheperformanceofOLED．The02plasmatreatmenthasvariedthesurfaceworkfun

8、ctionoffilm，andimprovedbrightnessandluminescentefficiency．Inphotoetchingprocess，thethicknessofphotoresistalsoisanimportantfactorimpactingthequali