苏州大学实验报告-实验flash在线编程实验

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1、实验　Flash在线编程实验一．实验目的1．进一步熟悉MT-IDE嵌入式开发系统环境、汇编、C语言、调试方式。2．进一步学习SCI通信的内容。3．掌握Flash存储器在线编程的基本概念。4．熟悉GP32芯片Flash存储器的在线编程擦除和写入的步骤。5．理解课本中的程序代码。二．预习要求1．仔细阅读本实验指导书。2．通过预习，熟悉GP32芯片flash在线编程的方法。3．根据实验内容要求编写好程序，为实验做充分地准备。三．实验设备及其连接1．PC机一台2．MT-IDE嵌入式开发系统一台3．串行通信线一

2、根四．实验内容1．理解Flash在线编程的原理和过程。2．运行与理解各子程序。3．主程序运行课本的样例程序。4．编制一个程序。通过PC机的串口将数据发送到MCU，然后将接收到的数据写入到flash中以地址0x8000开始的一页。最后将写入的数据读出发送到PC端校验。五．编程提示1．按照结构要求写好编程代码和注释。2．在对Flash擦除和写入时要严格按照手册上的时序和步骤来编制子程序。（1）页擦除操作下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节):①$2→FLCR(1→ERASE位，0→

3、MASS位):进行页面擦除；②读Flash块保护寄存器FLBPR；③向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址写入0；④延时tnvs(>10μs)；⑤$A→FLCR(1→HVEN位)；⑥延时terase(>1ms)；⑦$8→FLCR(0→ERASE位)；⑧延时tnvh(>5μs)；⑨$0→FLCR(0→HVEN位)；⑩延时trcv(>1μs)，完成一页的擦除操作。（2）整体擦除操作下面过程擦除GP32的整个Flash区域，以便把新的程序装入Flash存储器，这是应

4、用系统研制过程中开发工具对GP32编程的准备工作。①6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位):进行整体擦除；②Flash块保护寄存器FLBPR；③向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向首地址写入0；④延时tnvs(>10μs)；⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)；⑥延时tMerase(>4ms)；⑦$C→FLCR(0→ERASE位)；⑧延时tnvhl(>100μs)；⑨$0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)；⑩延时trcv(>1μs)，完

5、成整体擦除操作。（3）编程操作MC68HC908GP32的Flash编程操作以行(64字节)为单位进行的。当然，一次写入可以小于一行，但不能大于一行。对于已经写过的部分未经擦除不能重新写入变更其数据，否则将引起数据出错。写入过程如下:a.$1→FLCR(1→PGM位)；b.读Flash块保护寄存器FLBPR；c.向将要写入的Flash行内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入0，这一步选定了所要编程的行，以下的目标地址必需在这一行中；d.延时tnvs(>10μs)；e.$9→FLCR(

6、1→HVEN位)；f.延时tpgs(>5μs)；g.待写数据写入对应的Flash地址；h.延时tprog(>30μs)，完成一个字节的写入(编程)工作；i.重复g、h，直至同一行内各字节写入完毕；j.$8→FLCR(0→PGM位)；k.延时tnvh(>5μs)；l.$0→FLCR(0→HVEN位)；m.延时trcv(>1μs)以后，完成本行写入工作，可以读出校验。3．在实际调用擦除或写入子程序时，由于要对flash加高压，此时对flash的读写是不稳定的，所以要将其移到ram区执行。六．实验报告要求1

7、．小结GP32的flash编程的原理及方法。2．回答下列问题（1）flash在线编程的过程中有哪些注意点？（2）当用flash区存储一些需要变动的参数时，应如何注意哪些问题？