无机材料物理性能试卷及答案

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1、无机材料物理性能试卷一．填空（１×２０＝２０分）1．CsCl结构中，Ｃs+与Cl-分别构成＿＿＿＿格子。２．影响黏度的因素有＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿.３.影响蠕变的因素有温度、＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿.４．在＿＿＿＿、＿＿＿＿的情况下，室温时绝缘体转化为半导体。５．一般材料的＿＿＿＿远大于＿＿＿＿。６．裂纹尖端出高度的＿＿＿＿导致了较大的裂纹扩展力。７．多组分玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿。８．介电常数显著变化是在＿＿＿＿处。９．裂纹有三种扩展方式：＿＿＿＿、＿＿＿＿、＿＿＿＿。１０．电子电导的特征是具有＿＿＿＿。二.名词解释（4×

2、4分=16分）1.电解效应2.热膨胀3.塑性形变4.磁畴三.问答题（3×8分=24分）1.简述晶体的结合类型和主要特征：2.什么叫晶体的热缺陷？有几种类型？写出其浓度表达式?晶体中离子电导分为哪几类？3.无机材料的蠕变曲线分为哪几个阶段，分析各阶段的特点。4.下图为氧化铝单晶的热导率与温度的关系图，试解释图像先增后减的原因。四，计算题（共20分）1.求熔融石英的结合强度，设估计的表面能为1.75J/m2；Si-O的平衡原子间距为1.6×10-8cm，弹性模量值从60到75GPa。（10分）2.康宁1273玻璃(硅酸铝玻璃)具有下列性能参数：l=0.021J/(cm·s·℃)；a=4.

3、6×10-6℃-1；σp=7.0kg/mm2，E=6700kg/mm2，v=0.25。求第一及第二热冲击断裂抵抗因子。（10分）无机材料物理性能试卷答案一．填空。（１×２０＝２０分）１，简立方、２，温度、时间、熔体的结构与组成３，应力、晶体的组成、显微结构４，掺杂、组分缺陷５，抗压强度、抗张强度６，应力集中７，电导损耗、松弛损耗、结构损耗、８，居里点９，张开型、滑开型、撕开型１０，霍尔效应二.名词解释1.电解效应：离子电导的特征是存在电解效应，离子的前一伴随着一定的质量变化，离子在电极附近发生电子得失，产生新的物质，这就是电解现象。2.热膨胀：物体的体积或长度随着温度升高而增长的现象

4、称为热膨胀。3.塑性形变：塑性形变是在超过材料的屈服应力作用下，产生性变，外力移去后不能恢复的形变。4.磁畴：由于磁铁体具有很强的内部交换作用，铁磁物质的交换能为正值，而且较大，使得相邻原子的磁矩平行取向，发生自磁化，在物质内部形成许多小区域，即磁畴。三．问答题1.结合类型结构单元　　　　　特征性质离子晶体离子高熔点，硬度大，密堆积共价晶体（原子晶体）原子高硬度，高熔点，几乎不溶于所有溶剂金属晶体金属离子密堆积，具有良好的导电性和导热性，高硬度，高熔点分子晶体分子，原子低熔点，低沸点，易压缩氢键晶体含氢分子低熔点，低沸点，2.答：热缺陷是由于晶体中的原子(或离子)的热运动而造成的缺陷

5、。从几何图形上看是一种点缺陷。热缺陷的数量与温度有关，温度愈高，造成缺陷的机会愈多。晶体中热缺陷有两种形态，一种是肖脱基(Schotty)缺陷，另一种是弗仑克尔(Frenkel)缺陷。弗仑克尔缺陷，空位或填隙离子的浓度：Nf=Nexp(－Ef/2kT)N------单位体积内离子的格点数。肖特基缺陷，空位的浓度：Ns=Nexp(－Es/2kT)N------单位体积内正负离子对数本征电导；弗伦克尔缺陷；肖特基缺陷；杂质导电；填隙杂质或置换杂质（溶质）3.答：共分为四个阶段：①.起始阶段，在外力作用下发生瞬时弹性形变。②.蠕变减速阶段，应变速率随时间递减，持续时间较短，应变速率满足：U

6、=At-n③.稳定态蠕变，形变与时间呈线性关系：ε=Kt④.加速蠕变阶段，该阶段是断裂之前的最后一个阶段，曲线较陡，蠕变速率随时间的增加而快速增加。4.答：如图，在很低的温度下，晶体的热容Ｃｖ与温度的三次方成正比，因此随着温度的增加，λ也近似与Ｔ３成比例变化，图像快速上升。当温度继续增加到徳拜时，Ｃｖ不再与Ｔ３成比例，而是趋于常数，分子平均自由程ｌ随温度的增加而减小，因此λ随温度的升高而迅速减小。更高的温度后Ｃｖ基本不变化，自由程也趋于晶格常数，所以图像变得缓和。在高温辐射的影响下，１６００ｋ后λ又有少许回升。四．计算题1.解：E=60~75GPa=6.0~7.5×1010Pa，γ=

7、1.75J/m2，a=1.6×10-8cm=1.6×10-10m。代入公式可得：当E=60GPa时，σth=25.62GPa当E=75GPa时，σth=28.64GPa答：熔融石英的结合强度介于25.62GPa~28.64GPa之间2.解：=7.0×(1-0.25)/(4.6×10-6×6700)=170.3℃=2.1×170.3℃=358J/m·s期末复习题参考答案一、填空1.一长30cm的圆杆，直径4mm，承受5000N的轴向拉力。如直径拉成3.8mm