半导体存储器1ppt培训课件

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1、第七章半导体存储器7.1概述7.2只读存储器(ROM)7.3随机存储器(RAM)7.4存储器的容量的扩展7.5用存储器实现组合逻辑函数17.1概述半导体存储器——用以存储大量二进制信息的半导体器件衡量存储器性能的重要指标：存储量、存取速度半导体存储器的分类：（1）只读存储器（ROM）。其内容只能读出不能写入。存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。（2）随机存取存储器（RAM）也叫做读/写存储器。既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。2（2）一次性可编程ROM（PROM）。ROM的分类按照数据写

2、入方式特点不同，ROM可分为以下几种：（3）光可擦除的可编程ROM（EPROM）。（1）掩模（固定）ROM。（4）电可擦除可编程ROM（E2PROM）。（5）快闪存储器（FlashMemory）。RAM分类：静态随机存储器：SRAM动态随机存储器：DRAM37.2只读存储器(ROM)功能：把存储矩阵中的数据读出来输出出去。电路结构:47.3随机存储器（RAM）也叫随机读/写存储器，可随时从任一指定存储单元读出数据，或将数据写入任一指定存储单元。优点：读写方便，使用灵活。缺点：停电后数据全部丢失。分类：静态随机存储器：SRAM动态随机存储器：DRAM7.3.1静态

3、随机存储器（SRAM）一、SRAM的结构和工作原理由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成5R/W=1时，执行读操作，R/W=0时，执行写操作CS为片选输入端，CS=0时，该片被选中，可以进行读写多字一位结构1024×1多字多位结构1024×4,256×461024=210=25×25=32×32若要读取5-2中的数据，则令CS=0，R/W=1，A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0001000101X00-0,0-1····················0-31·····31-0,31-1·············31-31行地址译码器列地址译

4、码器读写控制电路·······X31·····A4Y0·······Y31A5·····A9CSR/WI/OA0存储矩阵32行×32列，行地址5个，列地址5个例1：1024×1位RAM71024×1位RAM可用下图表示：1024×1RAMA0······A9R/WCSI/O1024×1位RAM有10个地址输入端，1个数据输入/输出端8例2：1024×4位RAM1024×4=210×22=212=26×26=64×64，所以行地址输入6个（64=26）,列地址4个（64/4=16=24）列地址译码器Y0·······Y15A6·····A9读写控制电路CSR/WI

5、/O0-0,0-1,0-2,0-3·······0-63·····63-0····63-3······63-63行地址译码器·······X63X0·····A5A09图7.3.210244位RAM（2114）的结构框图101024×4位RAM可用下图表示：1024×4位RAM有10个地址输入端，4个数据输入/输出端行6列41024×4RAMA0······A9R/WCSI/O2I/O1I/O3I/O411例3：256×8位RAM256×8=28×23=211=25×26=32×64，所以行地址输入5个（32=25），列地址3个（64/8=8=23）0-0,0

6、-1,····0-7·····0-63·····31-0····31-7······31-63行地址译码器列地址译码器读写控制电路·······X31X0·····A4Y0·······Y7A5·····A7CSR/WI/OA012256×8位RAM可用下图表示：8个地址输入端，8个数据输入/输出端输入端的个数与乘号前面的数有关，输出端的个数与乘号后面的数有关256×8RAMA0······A7R/WCS······I/O1I/O8137.4存储容量的扩展扩展方式有两种：位扩展方式：输入端数（字数）够用而输出端数（位数）不够用：扩展位。字扩展方式：输入端数（字数

7、）不够用而输出端数（位数）够用：扩展字。7.4.1位扩展方式例：用8片1024×1位RAM组成1024×8位RAM。解：1024×1位RAM有10个输入端，已够用，1个输出端，不够用，可利用位扩展方式将8片每片有1个输出端的1024×1位RAM组成1个有8个输出端的1024×8位RAM147.4.1RAM的位扩展接法图157.4.2字扩展方式例：用4片256×8位的RAM接成1个1024×8位的RAM解：256×8位的RAM有8个输入端（A0~A7），而1024×8位的RAM需要有10个输入端（1024=210），不够用；有8个输出端，已够用。所以增加两个输入端

8、A9A8，A9A8取00