水相体系纳米_ai_2o_3浆料的分散稳定性能研究

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1、第13卷第5期材料科学与工艺Vol113No152005年10月MATERIALSSCIENCE&TECHNOLOGYOct.,2005水相体系纳米γ-AI2O3浆料的分散稳定性能研究宋晓岚,王海波,曲鹏,吴雪兰,邱冠周(中南大学资源加工与生物工程学院,湖南长沙410083,E2mail:xlsong@hnu.cm)第5期宋晓岚,等:水相体系纳米γ-AI2O3浆料的分散稳定性能研究·507··508·材料科学与工艺第13卷·512·材料科学与工艺第13卷[10]KAVANL,STOTOT,GM.Quantumsizeeffectsinvoltaicapplications[J].Jour

2、nalofSol2GelSciencenanocrystallinesemiconductingTiO2layerspreparedbyandTechnology,2001,22:7-13.anodicoxidativehydrolysisofTiCl3[J].JPhysChem,[16]NAZEERUDDIMK,KAYA,RODICIOI,etal.Con21993,97:9493-9498.versionoflighttoelectricitybycis-X2Bis(2,2’-bi2[11]蓝鼎,罗欣莲.TiO2薄膜的制备方法及其对染料敏pyridyl-4,4’-dicarboxyl

3、ate)ruthenium(II)charge2----化太阳能电池性能的影响[J].感光科学与光化学,transfersensitizers(X=Cl,Br,I,CN,and-2003,21(4):262-272.SCN)onnanocrystallineTiO2electrodes.[J].JAm[12]范乐庆,吴季怀,黄昀方,等.阴极修饰对染料敏化ChemSoc,1993,115:6382-6390.TiO2太阳能电池性能的改进[J].电子元件与材[17]罗欣莲,万发荣,龙毅,等.纳米TiO2薄膜的制备方料,2003,22(5):1-3.法对NPC太阳电池性能的影响[J].北京科技

4、大学[13]MAT,INOUEK,NOMAH,etal.Observationofphoto2学报,2003,25(3):241-244.inducedelectrontransferindye/semiconductorcolloidal[18]柳闽生,杨迈之,郝彦忠,等.导电高聚物修饰纳米systemswithdifferentcouplingstrengths[J].Journalof尺度TiO2多孔膜电极的光电化学研究[J].化学通MaterialsScienceLetters,2002,21:1013-1014.报,2001,59(3):377-382.[14]JAMESC,H

5、IDEOT.Fabricationofsolid2statedye2[19]BACHU,YASUHROT.ChargeseparationinsolidsensitizedTiO2solarcellscombinedwithpolypyrrolestatedye2sensitizedheterojunctionsolarcells[J].J[J].JournalofAppliedPhycology,2000,(12):207AmChemSoc,1999,121:7445-7456.-218.(编辑吕雪梅)[15]GR'TZELM.Sol2gelprocessedTiO2filmsforp

6、hoto2(上接第508页)的Zeta电位绝对值增大,从而加强了浆料的分散1%时,随时间延长,吸光度的变化基本趋于一条稳定性,浆料黏度随之降低.直线,表明该浆料的沉降很小,其稳定性最好;而2)在纳米γ-Al2O3固含量为6%的浆料中,分散剂加入量(质量分数)为γ-Al2O3粉体的加入γ-Al2O3粉体的1%的异丙醇胺作为分散015%、2%和3%的3种浆料都有明显的沉降.这剂,同时控制浆料pH值约为4时,可获得长时间说明分散剂有一个合适的用量,在最佳用量下,分不沉降的稳定浆料.散剂能够保证浆料中粒子之间有足够有效的静电参考文献:排斥和空间位阻稳定作用.若用量不足,则它对浆料的分散稳定性起不

7、到所需得的作用;若用量过[1]MALIKF,HASANM.ManufacturabilityoftheCMP多,会导致整个分散体系产生气泡或聚凝,稳定性process[J].ThinSolidFilms,1995,270:612-615.变差[2]江瑞生.集成电路多层结构中的化学机械抛光技术.[J].半导体技术,1998,23(1):6-9.综上分析认为,配制固含量为6%纳米[3]边纯二,别府敏保,南川康大.CMP装置の特征とγ-A

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