不同结晶体系中pnmaiw对hniw转晶影响的理论研究

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1、万方数据第32卷第4期火炸药学报209年8月ChineseJournalofExplosives&Propellants1不同结晶体系中PNMAIW对HNIW转晶影响的理论研究李丽洁1,陈树森1,冉军鹏2,王花1(1.北京理工大学材料科学与工程学院,北京100081;2.总装驻甘肃银光化学工业集团有限公司军代室,甘肃白银730900)摘要:为了从理论上揭示五硝基一乙酰基六氮杂异伍兹烷(PNMAlw)对六硝基六氮杂异伍兹烷(HNIW)转晶的影响,采用分子模拟的方法,设计了PNMAIW的稳定构型,分别研究了硝酸一水体系、乙酸乙酯一正己烷体系和乙酸乙酯一三氯甲烷体系中PNMAIW对HN

2、IW转晶的影响。结果表明,PNMAIW存在4种稳定构型;由于PNMAIW与HNIW各面的键合能远大于溶剂和非溶剂与HNIW各面的键合能,因此,如果转晶体系中存在杂质PNMAIW,PNMAlw更容易接近HNIW的晶面,从而阻碍HNIW在溶液中的转晶。关键词:物理化学;分子模拟;HNIW;PNMAIW;动力学;键合能中图分类号:TJ55}0641文献标志码:A文章编号:1007—7812(2009)04—0001—05TheoreticaIStudyoftheEffectofPNMAIWonHNIWCrystalTransitioninDifferentCrystalSystemsL

3、ILi-jie1,CHENShu—senl,RANJun—pen92。WANGHual(1.SchoolofMaterialsScienceandEngineering,BeijingInstituteofTechnology,Beijing100081,China;2.RepresentationofPLAGeneralArmyArmamentDepartmentatGansuYinguangChemicalIndustryGroupCo.,LTD,BaiyinGansu730900,China)Abstract:InordertorevealtheeffectofPNMAIW

4、onthecrystaltransitionofHNIWtheoretically,thestabilityconfigurationofPNMAIWwasdesignedbythemethodsofmolecularmodeling.TheeffectofPNMAIWontheHNIWcrystalinthesystemofnitricacid/water,ethylaeetate/n—hexane,andethylacetate/chloroform,respectively,wasstudied.TheresultsshowthatPNMAIWhasfourstablest

5、ructures.ThebondingenergyofPNMAlWtothesurfaceofHNIWismuchlargerthanthatofthesolventandthenonsolventtOthesurfaceofHNlW,sotheexistofPNMAIWinthecrystaltransitionsystemwouldinhibittheformationof£一HNIWcrystal.Keywords:physicalchemistry;molecularsimulation;HNIW;PNMAIW;dynamics;bondingenergy引言六硝基六氮杂

6、异伍兹烷(HNlw)是综合性能优良的高能量密度化合物,自1987年问世以来得到了广泛应用[1]。HNIW的合成工艺一般采用四步法[2。5],通常硝解制得的是口一HNIW或7一HNIW或两者的混合物。采用溶剂重结晶工艺将硝解所得的HNIW转晶为£一HNIW。雷向东等r61曾成功实现了含水体系HNIW的转晶[3-4J,既可以避免HNIW的干燥和废溶剂的回收等危险操作,并且提高了HNIW的得率。但是,关于HNIW转晶机理的研究较缺乏“],五硝基一乙酰基六氮杂异伍兹烷(PNMAIW)是HNIW合成中的一种主要杂质【7j,但还未见其对HNIW转晶机理影响的报道哺]。M[aterialsSt

7、udioModeling模拟软件是美国Accelrys公司开发的用于材料科学领域的并可以运行于PC机上的高度模块化集成产品。本研究采用该软件研究了不同转晶体系中PNMAIW对HNIW转晶的影响,旨在揭示HNIW转晶的机理,为工艺提收稿日期:2009—03—28;修回日期:2008—06—23基金项目:中国兵器工业集团公司第三事业部创新基金资助(40406020102)作者简介:李丽洁(1978一),女,博士,研究领域:含能材料合成与计算化学。万方数据2火炸药学报第32卷第4期供理

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