二维GeC结构与性质的第一性原理研究

二维GeC结构与性质的第一性原理研究

ID:34914595

大小:12.42 MB

页数:156页

时间:2019-03-14

二维GeC结构与性质的第一性原理研究_第1页
二维GeC结构与性质的第一性原理研究_第2页
二维GeC结构与性质的第一性原理研究_第3页
二维GeC结构与性质的第一性原理研究_第4页
二维GeC结构与性质的第一性原理研究_第5页
资源描述:

《二维GeC结构与性质的第一性原理研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、学校代码10699分类号TB34密级学号2013100367题目二维GeC结构与性质的第一性原理研究作者徐卓学科、专业材料学指导教师刘正堂教授申请学位日期2017年6月国内图书分类号:TB34西北工业大学工学博士学位论文二维GeC结构与性质的第一性原理研究博士研究生:徐卓导师:刘正堂教授李阳平副教授申请学位级别:博士学科、专业:材料学所在单位:材料学院答辩日期:2017授予学位单位:西北工业大学Classifiedindex:TB34Dissertationsubmittedinpartialfulfil

2、lmentoftherequirementsforthedegreeofDoctorofPhilosophyFirst-principlesstudyonstructureandpropertiesoftwo-dimensionalGermaniumCarbidePh.DCandidate:XUZhuoAdvisor:ProfessorLIUZhengtangProfessorLIYangpingDegreeAppliedfor:DoctorofPhilosophySpecialty:MaterialsS

3、cienceSchool:MaterialsScienceandEngineeringDateofOralDefence:2017UniversityConferringDegree:NorthwesternPolytechnicalUniversity摘要摘要石墨烯的出现以及其独特的物理和化学性质,引起了人们对二维层状纳米材料应用越来越浓的研究兴趣。石墨烯由于本征零带隙的能带结构,限制了其部分应用。于是,研究者将目光转向了类石墨烯结构的其他二维层状材料。目前已经有多种二维材料被陆续发现。如,石墨烯、硅烯

4、、锗烯、BN、MoS2、黑磷以及IV-IV、III-V、II-VI族化合物等。其中,人们发现IV主族二维化合物(2D-SiC和2D-GeC)具有类石墨烯结构和可观的带隙值。对2D-SiC的基本性质及纳米带、纳米管结构的光学、电学与磁学性质都已进行了系统的理论研究,表明其在光电器件领域有着明显的优势。理论计算预测2D-GeC在某些方面具有优于2D-SiC的性质。然而,关于2D-GeC的基础研究,特别是结构中缺陷与杂质对其本征性质的影响,电学、光学及磁学性质的调控等问题都有待深入研究。本文通过第一性原理计算方

5、法,对2D-GeC的基本性质及调控方法、相关纳米结构的性质进行了系统的研究。论文的主要研究内容和取得的结果如下:采用第一性原理计算方法,研究了通过在含空位graphene中掺Ge的方法实现二维GeC化合物的可能性。分别研究了Ge在graphene中单空位和双空位的掺杂,以及Ge链在graphene中的几种情况。结果发现,Ge原子在双空位替代时比在单空位中替代时更稳定;根据不同的替代方式和替代浓度,掺Ge的graphene表现出了从金属到半导体的多种特性,带隙值在0-0.87eV范围内变化。石墨烯中可以形成

6、Ge链结构,不同浓度的Ge链结构也对graphene的性质有很大的影响,其带隙值可在0-0.74eV范围内变化;在4×4石墨烯超胞中存在Ge单链结构时还观察到了2.9μB磁矩。系统研究了单层GeC的结构、电学和光学性质。单层GeC具有带隙值为2.19eV的直接带隙,这使得其可作为光电器件应用的潜在材料。由于其二维结构的特点,光吸收也表现出各向异性。另外,还研究了单层GeC在面内应力作用下,以及双层GeC在面外应力作用下电学和光学性质的变化规律。结果表明,在应力作用下,GeC的带隙结构可在直接带隙和间接带隙

7、间变化,导电特性可在金属与半导体之间变化。B、N以及3d过渡族金属原子替代掺杂的研究表明,各杂质原子更倾向于替代Ge原子。替代后带隙值普遍减小,并在某些体系中表现出半金属特性。过渡族金属原子不论是替代C原子还是替代Ge原子大都会引入磁性。I西北工业大学工学博士学位论文对三元二维结构Si1-xGexC化合物的基本结构、电学、热力学性质的研究发现,随着Ge浓度的变化,Si1-xGexC化合物的结构参数、力学常数以及带隙值在SiC与GeC之间变化。揭示了结构改变以及电荷转移对带隙值变化的影响规律。通过声子谱计算

8、证实单层Si1-xGexC具有动力学结构稳定性。计算了单层Si1-xGexC的相图,得到的临界温度为187.45K,并区分出了稳定相、亚稳定相以及不稳定相的区域。研究了五种不同堆垛方式的GeC双层结构的电学及光学性质。通过总能量对比,找到了最稳定的堆垛方式。在最稳定堆垛方式的基础上,研究了双层及三层GeC分别在应力场和外加电场作用下电学和光学性质的变化规律。最后还与SiC的情况进行了对比研究。结果发现,层间作用力会使带隙值减小

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。