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时间:2020-03-18
《二维WS2电子结构和磁性的第一性原理研究.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、FIRST.PRINCIPLESTUDYOFTH匝ELECTRoNICSTRUCTURESANDT耻MAGNETISMOFTWO—DIMENSIONALWS2ADissertationSubmittedtotheGraduateSchoolofHenanNormalUniversityinPartialFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterofScienceBySupervisor:Prof.DaiXianqiAprial,2014摘要本文应用基于密度泛函理论的第一性原理ViennaAb.initioSimulationPackage
2、(VASP)程序包,采用超级原胞模型,系统研究了调控过渡金属硫族化合物WS2电子结构和磁性,得到了一些较有意义的结果。具体研究内容包括:1、WS2电子结构的调控研究了厚度、应变和掺杂对过渡金属硫族化合物WS2电子结构的影响。计算结果表明,wS2体材料为间接带隙半导体,随着厚度的减小,WS2带隙宽度逐渐增大,并且在厚度为单原子层时,体系能带结构变为直接带隙。对单层WS2施加双轴拉伸应变作用,其能带结构由直接带隙变为间接带隙,并且随着应变的增大,禁带宽度不断减小,体系保持间接带隙,当应变达到21%时,禁带宽度消失,体系由半导体转变为金属。对单层wS2施加双轴压缩应变作用,和施加拉伸应变时类似,其
3、能带结构由直接带隙变为间接带隙,并且随着应变的增大,禁带宽度不断减小,体系保持间接带隙,当应变达到16%时,禁带宽度消失,体系由半导体转变为金属。由此可以看出对单层WS2施加双轴压缩应变比施加双轴拉伸应变对其能带结构的调控更有效。在单层WSz中分别掺杂Cr和Mo两种W的同主族元素原子,发现在掺杂Mo原子后其能带结构与未掺杂时非常相似,都为直接带隙,且禁带宽度相差很小,而Cr掺杂的WS2能带结构随着掺杂浓度的增加由直接带隙变为了间接带隙,并且带隙宽度不断减小,通过分析我们得出这是由于掺杂Cr后的单层WS2产生了应力,从而导致能带结构的变化。2、Cr、Co原子掺杂对WS2磁性的影响研究了Cr、C
4、o原子掺杂单层WS2体系的磁性变化。计算结果表明,Cr掺杂的WS2和未掺杂的WS2没有磁矩,其自旋向上和自旋向下的态密度都是对称的,因此不具有磁性,而Co掺杂的WS2产生了磁矩,并且磁矩主要是由Co原子提供的,其自旋向上和自旋向下的态密度明显失去对称性,导带底处产生了杂质能级,价带顶处自旋向上的态密度仍处于费米能级以下,自旋向下的态密度越过了费米能级,并且Co原子的3d轨道、S原子的3p轨道和W原子的5d轨道电子间形成强烈的耦合作用,体系具有磁性。单层WS2在掺杂Co原子后在室温下具有较好的铁磁性,是制造电子自旋器件的理想的稀磁半导体材料。研究结果为实验和应用提供了理论基础。关键词:二维材料
5、,过渡金属硫族化合物,WS2,电子结构,磁性,应变,掺杂,厚度,第一性原理IIABSTRACTInthispaper,usingViennaAb-initioSimulationPackage(VASP)basedondensityfunctionaltheory(DFT)withthesupercellapproach,wehaveperformedacomprehensivestudyoftheelectronicandmagneticpropertiesoftransition-metaldichalcogenideWS2andsomeinterestingresultshavebee
6、nobtained.Ourworkinclude:1.TunableelectronicstructuresinWS2Wecarryoutaninvestigationtoexploretheeffectsofthickness,strainanddopingontheelectronicpropertiesoftransition—metaldichalcogenideWS2.OurresultsindicatethatthebandgapofWS2increaseswiththedecreaseofthickness.Whenthenumberoflayersreducestoasing
7、lelayertheindirectgapofbulkbecomesadirectgap.ThedirectgapofmonolayerWS2becomesaindirectgapunderthetensilebiaxialstrainsandthemonolayerWS2retainsitsindirectbandgapwithincreasingstrains.Thefundamentalbandgapo
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