后处理升温速率对低温抛光锗单晶片变形的影响

后处理升温速率对低温抛光锗单晶片变形的影响

ID:35051555

大小:4.35 MB

页数:93页

时间:2019-03-17

后处理升温速率对低温抛光锗单晶片变形的影响_第1页
后处理升温速率对低温抛光锗单晶片变形的影响_第2页
后处理升温速率对低温抛光锗单晶片变形的影响_第3页
后处理升温速率对低温抛光锗单晶片变形的影响_第4页
后处理升温速率对低温抛光锗单晶片变形的影响_第5页
资源描述:

《后处理升温速率对低温抛光锗单晶片变形的影响》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、中图分类号:TN305论文编号:102870516-S010学科分类号:080201硕士学位论文后处理升温速率对低温抛光锗单晶片变形的影响(国家自然科学基金资助项目NO.51375237)(中国博士后科学基金特别资助项目No.2015T80547)研究生姓名张梦骏学科、专业机械制造及其自动化研究方向精密加工指导教师左敦稳教授南京航空航天大学研究生院机电学院二О一六年三月NanjingUniversityofAeronauticsandAstronauticsTheGraduateSchoolCollegeofMechanical&El

2、ectricalEngineeringResearchontheDistortionofSingleCrystalGermaniumWaferPolishedwithIce-BondedAbrasivesEffectofTemperatureRisingRateofAfterTreatment(SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina,No.51375237,ChinaPostdoctoralScienceFoundationNo.2015T80547)AThesisinMe

3、chanicalManufactureandAutomationbyZhangMengjunAdvisedbyProf.ZuoDunwenSubmittedinPartialFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterofEngineeringMarch,2016承诺书本人声明所呈交的博/硕士学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得南京航空航天大学或其他教育机构的学位或证

4、书而使用过的材料。本人授权南京航空航天大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本承诺书)作者签名:日期:南京航空航天大学硕士学位论文摘要锗材料凭借优异的物理、化学性能在高科技领域得到了广泛应用。锗单晶片的变形控制是晶片加工中极为重要的一点。低温抛光能加工出高质量晶片,但加工后温度回升的过程会导致晶片发生变形。本文通过有限元仿真,研究升温速率对锗单晶片变形的影响规律,同时还探讨了晶片的几何参数,如厚度、直径对热变形的影响。通过设计与制作温

5、控箱,开展升温速率对锗单晶片变形影响试验,对仿真结果进行验证。本文开展的主要工作内容如下:(1)通过ANSYS热-结构耦合仿真,探究升温速率对晶片变形的影响规律:升温速率越快,热应力越大,锗单晶片越容易发生塑性形变,变形越明显;在只考虑升温处理产生的热应力的情况下,厚度越大,热应力也越大,越容易发生变形;对于超薄锗晶片,不同直径锗单晶片在升温处理中温度大小及分布差别较小,热应力也相差不大。(2)设计、制作半导体温控箱,用于实验中升温速率的控制。从-30℃~30℃,最短升温时间为4分49秒,升温可调范围广;响应速度小于6s;控制精度为1

6、℃左右;同一高度选取的点上最大温差为0.35℃,均匀性较好;相同电压下两次升温时间偏差最大为2.33%,设备稳定性高。用拟合的手段获得了升温时间与控制电压之间的关系,并用其获取实验所需要的控制电压,最后用实验进行了验证。(3)通过实验探究升温速率对晶片变形的影响规律,得出以下结论:升温速率越快,晶片变形越为明显,在文中条件下,升温时间超过60min后,晶片变形程度随升温时间改变变化很小;晶片越厚,在升温处理中越不容易发生变形;晶片直径越小,越不容易发生变形;升温处理对应力较为集中的晶片裂纹影响明显;晶片的残余应力在升温处理过程中发生了

7、改变,说明在升温处理过程中热应力与残余应力共同作用引起材料局部的塑性变形,导致晶片弯曲变形,残余应力对变形有非常复杂的影响;锗单晶片内位错在热应力与内应力共同作用下发生滑移与增殖是晶片变形的根本原因。关键词:锗单晶片,升温速率,弯曲变形,热应力,有限元模拟I升温速率对锗单晶片变形的影响ABSTRACTGermaniumhasbeenwidelyusedinthefieldofhightechnologyforitsexcellentphysicalandchemicalproperties.Thedecreaseofdistortio

8、nisoneofthemostimportantpartinthemachiningofsinglecrystalgermaniumwafer.Thequalityofwaferwhichismachinedbylow-

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。