外场对inpbi低维半导体结构中激子态的影响

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4、地介绍了低维半导体结构、低维半导体材料在光通信中的应用以及稀铋材料，并且对激子进行了详细的介绍。2.系统地介绍了打靶法和变分法，为低维半导体结构中激子结合能的计算提供理论基础。3.在有效质量包络函数近似下，利用变分法研究了InAlAs/InPBi/InAlAs低维半导体结构中的激子结合能。计算结果表明量子阱中激子结合能随着阱宽的增大呈现先增大后减小的趋势，玻尔半径随阱宽的增大先减小后增大，这是由量子限制势和库仑势共同作用的结果；Al组分和Bi组分的逐渐增加影响了材料的带隙，导致激子结合能的不断增大；Al和Bi组分不同，激子结合能

5、最大值出现的位置不同。与此同时，量子线和量子点中的激子结合能随着量子线和量子点半径的逐渐增大先增加到一个最大值后再减小，与量子阱中激子结合能的变化趋势相同。4.研究了外加电场对InAlAs/InPBi/InAlAs低维半导体结构中激子结合能的影响。计算结果表明量子阱较宽时，电场对激子结合能的影响较大；一定范围内的电场对激子结合能的影响较小，但是电场强度较大时会破坏激子效应，使得激子结合能变得很小。此外，电场对量子线和量子点中激子结合能的影响与对量子阱中激子结合能的影响相似。5.讨论了外加磁场对InAlAs/InPBi/InAlA

6、s低维半导体结构中激子结合能的影响。计算结果表明量子阱中的激子结合能随着磁场的不断增大呈现单调增加的趋势，并且增加幅度越来越大，这是因为外加磁场在量子阱中产生的额外限制势所致；量子阱较窄和较宽时，磁场对激子结合能的影响越大。与此同时，随着外加磁场的逐渐增大，量子线和量子点中的激子结合能也逐渐增大，磁场对量子线和量子点中激子结合能的影响与对量子阱中的激子结合能的影响相似。关键词：低维半导体，稀铋材料，激子结合能，变分法，电场，磁场IAbstractAbstractWiththedevelopmentofmolecularbeame

7、pitaxyandmetalorganicchemicalvapordeposition,itispossibletofabricatevariouskindsofartificiallow-dimensionalsemiconductorheterostructures.Theyexhibitspecialopticalandelectricalpropertieswhichreflectintheincreasinguseoftheseheterostructuresinoptoelectronicdevices.Theth

8、eoreticalresearchofexcitonstatesoflow-dimensionalsemiconductormaterialsaremeaningfulandcanbeutilizedfordesigningtheopticalcommunica