EMI相关PCB布局布线规则

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1、PCB和信号完整性byWZK板层结构布局布线电源/地层敷铜PCB板层结构地层和电源层的电容模型层间距小堆叠面积大层电容越大环流越小抑制越有效PCB板层结构——层电容地层和电源层间距引起层电容的容值变化E=2.8H=0.6mmC=0.2022nFE=9.6H=1mmC=0.4159nFPCB板层结构——层电容PCB的介电系数影响电源/地层间距的影响电源/地层相邻整板EMC较大，SI性能较好层间串扰小环流环路小电源和地层在两个表层整板EMC较小，SI性能较差交互电容增大，层间串扰增大最大的环流阻抗失控地层/

2、信号层间距的影响地层与信号层分别为14.4mils、7.2mils、3.6mils被干扰的近端和远端串扰强度地层/信号层间距的影响地层与信号层分别为14.4mils、7.2mils、3.6mils被干扰的近端和远端串扰波形地层/信号层间距的影响地层与信号层分别为14.4mils、7.2mils、3.6mils被干扰的近端和远端串扰波形PCB板的堆叠与分层双面板，此板仅能用于低速设计。EMC比较差。四层板。由以下几种叠层顺序。第一层第二层第三层第四层第一种情况GNDS1+POWERS2+POWERGND第

3、二种情况SIG1GNDPOWERSIG2第三种情况GNDS1S2POWER第一种情况，是四层板中理想的一种情况。因为外层是地层，对EMI有屏蔽作用，同时电源层同地层也可靠得很近，使得电源内阻较小，取得最佳郊果。但当本板器件密度比较大时不能保证第一层地的完整性，这样第二层信号会变得更差；信号层相邻层间串扰增大。PCB板的堆叠与分层第二种情况，是常用的一种方式。因为在这种结构中，有较好的层电容效应，整个PCB的层间串扰很小。信号层能够映射了完整的平面，能够取得较好的信号完整性。在此种结构中,由于信号线层在表

4、层，空间辐射强度增大，需加外加屏蔽壳，才能减少EMI。第三种情况，电源和地层在表层，信号完整性较好。S1层上信号线质量最好。S2次之。对EMI有屏蔽作用。但环流环路较大，器件密度大小直接影响PCB的信号质量，信号层相邻有不能避免层间干扰。总体上不如第一种板层结构，除非是对电源功率有特殊要求。PCB板的堆叠与分层六层板由以下几种叠层顺序。A种情况，是常见的方式之一，S1是比较好的布线层。S2次之。注意S2S3层的层间串扰。S4层如果没有器件，就少走信号线。多一层地。第一层第二层第三层第四层第五层第六层AS

5、1GNDS2S3POWERS4BS1S2GNDPOWERS3S4CS1GNDS2POWERS3S4DGNDS1POWERGNDS2GNDPCB板的堆叠与分层B种情况，S2S3层信号完整性好，S2层为好的布线层，S3层次之。电源平面阻抗较好,层电容较大，利于整板EMI抑制。但S1S2和信号层相邻，有较大层间干扰，且离电源和底层较远，EMI空间辐射强度较大，需要外加屏蔽壳。C种情况，这种情况是六层板中最好的情况，S1，S2，S3都是好的布线层。电源平面阻抗较好。美中不足的是S4层离参考层远。D种情况，在六层

6、板中，性能虽优于前三种，但布线层少于前两种。此种情况多在背板中使用。电源布局电源布局尽量采用星形，少用菊花链布局，减少电源的公共回路。电源的输入和输出分开布局，避免串扰主PMU芯片，Charger芯片，背光芯片，5V升压芯片需要放置屏蔽壳内供各个功能模块使用的电源芯片需要就近放置在模块电源端，注意电源走线避开射频区域电感器件不要靠近并排摆放，形成互感电容、电感摆放要靠近芯片管脚并有利于电源的单点接地。电源布局菊花链和星形走线电源布局LDO器件布局LDO器件布局LDO器件布局DCDC器件布局保持通路在Vi

7、n、Vout之间，Cin、Cout接地很短，以降低噪音和干扰；R和C的反馈成份必须保持靠近VFB反馈脚，以防噪音；大面积地直接联接2脚和Cin、Cout的负端DCDC器件布局SWvsL1距离<4mmCoutvsL1距离<4mmSW、Vin、Vout、GND的线必须粗短高速器件布局DDR,SDRAM,NANDFLASH靠近CPU放置，相对集中在屏蔽壳内摆放，并注意CPU的Memory出线方向，减少线长和交叉线数量。相邻层是完整地镜像屏的插座应顺着CPU出线的方向，中间的RC滤波器件尽量放在CPU侧高速器件

8、(MCP,CPU,屏的插座)远离天线及模块如果高速器件离RF模块和天线较近(200mils以内)，请将信号的过孔(尤其是SDRAM的时钟SDCLK)远离RF模块和天线，远离1/2芯片长度,如果无法避免,在背面露铜用于贴屏蔽贴.高速器件布局低频的最小电阻路径和高频的最小电感路径高速器件布局左边的是电容在芯片Pin与Via之间,环路较小,右边的是Via在powerPin与电容之间,增大了环路大小,去藕效果较差,应避免射频模块布局RF模块和天线不