DSP的存储器件结构

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时间:2019-05-09

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1、F2407DSP芯片结构框图TMS320C54X结构中有一组程序总线(PBPAB),两组读数据总线(CBCAB)、(DBDAB),和一组写数据总线(EBEAB),这样可以同时读取两组数据和存储一组数据,即同一时钟周期内可以执行一条3个操作的指令。这种附加总线和扩充地址增加数据流量,提高寻址能力。ALUArithmeticLogicUnit(ALU)16-bitimmediatevalue16-bitwordfromdatamemory16-bitvalueinthetemporaryregister,TTwo16-bitwordsfromdat

2、amemory32-bitwordfromdatamemory40-bitwordfromeitheraccumulatorMultiplier/Adder乘法器能够执行:无符号数乘法(每个16位操作数前面加一个0);有符号数乘法(每个16位操作数都符号位扩展成17位有符号数);无符号数(16位操作数前面加一个0)与有符号数(16位操作数符号扩展成17位有符号数)相乘运算.乘法器工作在小数相乘方式(状态寄存器ST1中的FRCT位=1)时,乘法结果左移1位,以消除多余的符号位.加载与存储中的移位AG保护位39~32 AH高阶位31~16 AL低阶

3、位15~0累加器A和B的差别仅在于累加器A的31~16位可以用作乘法器的一个输入.第四章存储器结构存储器有4种可独立选择的空间:(1)64K字的程序存储器空间,存放要执行的指令及程序执行时使用的数据:(2)64K字的局部数据存储器空间,存放指令他用的数据。(3)32K字的全局数据存储器空间(通过扩展得到),用来存放与其他处理器共用的数据。(4)64K字的I/O空间,用于与外部的设备接口和片内外设寄存器。ROM/ FlashSARAMB0 DARAMB1,B2 DARAMMemory- Mapped RegistersExternaladdres

4、sbusExternaldatabusControlBusPABDRABDWABPRDBDRDBDWEBExternal SignalsCentralprocessigunit(CPU)On-Chip Peripherals/ Registers片内多总线:多条数据、地址和控制总线。TMS320C2000器件内部有6条16位总线。(1)PAB(程序地址总线):提供读、写程序存储器的地址。(2)DRAB(数据读地址总线):提供读数据存储器的地址。(3)DWAB(数据写地址总线):提供写数据存储器的地址。(4)PRDB(程序读总线):将指令代码、立

5、即操作数和表信息从程序存储器传送到CPU。(5)DRDB(数据读总线):将数据从数据存储器传送到中央算术逻辑单元(CALU)和辅助寄存路算术单元(ARAU)。(6)DWEB(数据写总线):将数据写入程序存储器和数据存储器。总线结构目前DSP发展的片内存储器RAM越来越大,要设计高效的DSP系统,就应该选择片内RAM较大的DSP。片内RAM同片外存储器相比,有以下优点:1)片内RAM的速度较快,可以保证DSP无等待运行。可以提高指令传输效率,减小总线接口压力。并且它不存在与外部总线竞争和访问外部存储器速度不匹配的问题,这样使DSP处理器具有强大的

6、数据处理能力。2)片内存储器可以在一个指令周期内访问两次,使得指令可以更加高效。3)片内RAM运行稳定,不受外部的干扰影响,也不会干扰外部。4)DSP片内多总线,在访问片内RAM时,不会影响其它总线的访问,效率较高。5)集成度高;运行速度快;功耗小;成本低;不同的DSP具有不同的片内存储器。片内存储器特点扩展可以使CPU能访问更大的地址空间;扩展增强了数据存储能力和系统设计能力;访问外部存储器或I/O空间的引脚有四类:外部总线;选择信号;读写信号;应答控制信号外部存储器和I/O器件扩展片内存储器有如下4种类型。(1)片内双访问存储器(DARAM

7、):每个机器周期可被访问两次的存储器。片内DARAM。它们主要被配置为数据存储器(可双访问操作),也可配置为程序存储器。DARAM允许CPU在一个周期内对其进行写和读:在周期的正(主)相写,在周期的负(从)相读。比如在做乘法时,同时读两个乘数。(2)片内单访问程序/数据RAM(SARAM):每个机器周期仅能访问一次的存储器。可配置为数据存储器,也可配置为程序存储器,它允许更灵活的地址分配。可以由软件或硬件配置为外部存储器或外部存储器。(3)掩模型片内ROM存储器:出厂时己写好的存储器,用户只能读不能写。片内ROM作为程序存储器。复位时驱动MP/

8、MC(低电平)引脚为低即选中该ROM。若不选ROM,器件从片外存储器启动执行。(4)闪速存储器(Flash):电可擦除与编程的非易失性存储器。每个闪速

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