宽禁带半导体SiC和ZnO紫外探测器的研究与分析

《宽禁带半导体SiC和ZnO紫外探测器的研究与分析》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、中国科学技术大学硕士学位论文宽禁带半导体SiC和ZnO紫外探测器的研究与分析姓名：梁锦申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：谢家纯200505012005年5月中国科学技术大学硕士论文摘要本论文先后综述了宽禁带半导体sic年uZn0的性质、材料制备以及器件方面的研究。介绍了我们采用宽禁带半导体n一4H—S】c．fu会属Au研制出的sic肖特基紫外光电探测器。该器件高温下有较低的反向漏电流，肛I柚开启电压下降速度为一1．2mV／℃；波长响应范围为200～400nm，在23。C$n260℃时，光谱响应峰值分别出现在320nm和330nm，每100。O波长红移约4nm；

2、响应灵敏度随温度升高而降低，平均每100℃降低2倍，但仍保持良好的紫外响应特性。并对基于si衬底的Au—ZnO—AuUV增强光电探测器进行了测量分析，器件在200nm至lJ400nm的之间有灵敏的光电响应，在370nm附近时有一个响应的峰值停留，同时保留了Si在400nm以上波长的光谱响应：测试得到的IV特性符合肖特基接触的反向特性曲线；电容在OV附近具有最大值，随着正反向电压增大电容值呈对称性快速减小。研究表明，该结构的uV增强光电探测器可采用微电子Si平面工艺和外延薄膜工艺相结合，具有广泛的生产和应用前景。另外还对我们制备的ZnO／SiC／Si器件进行了测试分析并讨论了制作紫

3、外探测器件可行性。2005年5月中国科学技术大学五亘上论文AbstractThisthesissuccessivelydescribesthepropertiesofSiCandZnO，theirmaterialpreparationsandtheresearchoftheirdevices．ItintroducesSiCSchottkyUltravioletPhotodetectorwhichhasbeenfabricatedwithn一4H-SiCandAubyUS．Themeasurementresultsshowthatthedevicehaslowerleakagecu

4、rrentathi曲temperatures．Thedescendentspeedoftheforwardtum—onvoltageis一1．2mV／。C．Theresponsewavelengthrangeisfrom200nmto400nm，thepeakvalueofthespectrumresponseappearsin320nmat234Cand330nmat260。Crespectively,andthewavelengthhasredshiftabout4rimevery100"(2；Thesensitivityofresponsereducesastemperat

5、urerises,anditisreducedby2timesevery100"(2orlaverage，butitalsohasgoodUVresponsecharact甜sfics．TheUVenhancedphotodetector谢tlltheconstructionofAu-ZnO—AubasedOnSisubstratehasbeenmeasuredandanalyzed．Theultravioletresponsefrom200nmto400nmissensitive；atabout370nmthepeakresponsehasbeenobserved．Theres

6、ponserangefrom400to1000nrnoftraditionalSidetectorshasalSObeenreserved．TheI-VcharacteristicsofthedevicesatisfyreverseSchottkycontactcharacteristics．Thecapacitanceofthedeviceismaximumatzerobiasedandthecapacitancebecamesmallerwiththebiasedvoltageincrement．TheexperimentsshowthatAu—ZnO-AuUVenhance

7、dphotodetectorsCanbemadebymicroelectronicsplanetechnologyaswellasMOCVDmethod，whichhavegreatappliedpotential．Inaddition，wehavemeasuredandanalyzedtheZnO／SiC／SidevicefabricatedbyUS，andhavediscussedthepossibilityofmakingitakindofUltravioletPhotod