钛酸锶钡介电调谐薄膜的FE受主掺杂改性及TIO2缓冲层效应

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时间:2019-05-14

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资源描述:

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1、上海大学硕士学位论文钛酸锶钡介电调谐薄膜的Fe受主掺杂改性及TiO<,2>缓冲层效应姓名:龚佳申请学位级别:硕士专业:材料物理与化学指导教师:程晋荣20080501上海大学硕+学位论文摘要钛酸锶钡(BaxSrl.。Ti03)具有介电常数较大且随外加直流偏置电场的变化而变化的特点,所以被广泛用作相控阵雷达天线中介质移相器的材料。BST薄膜用作微波调谐材料时,要求尽量高的调谐率和较小的介电损耗,从而降低器件的插入损耗,提高响应速度和灵敏度。本文通过对BST薄膜掺杂改性和引入Ti02缓冲层,使BST薄膜在保持一定调谐率的同时降低介电损耗,提高了综合介电性能。采用脉冲激光沉积工

2、艺(PLD)在Pt/Ti/Si02/Si衬底上制备了不同Fe掺杂量的BSFT薄膜。结果表明,Fe离子作为受主掺杂剂进入BST晶格,使BSFT薄膜受张应力作用,适量的Fe掺杂能补偿氧空位的施主行为,提高BST薄膜的势垒高度,降低介电损耗和漏电流密度。Fe掺杂量为0.3t001%的BSFT薄膜在1MHz、300kV/cm下的介电损耗、调谐率和优值分别为:0.88%、44%和50.2。同时,Fe离子掺杂提高了BST薄膜介电调谐率的温度稳定性。S01.gel工艺制备的Ti02呈金红石相;采用PLD工艺,用金属Ti靶得到了无定形态的Ti02缓冲层,用陶瓷Ti02靶制备的Ti02则

3、为板钛矿结构。较高的Ti02沉积温度和沉积氧压均有助于提高BST/Ti02异质结构的综合介电性能。无论采用金属Ti靶还是陶瓷Ti02靶,在优化工艺条件下,BST/Ti02异质结构的介电调谐性能都得到了相同程度的提高。用PLD工艺制备的BST/Ti02异质结构的介电调谐性能优于用溶胶.凝胶工艺制备Ti02缓冲层的BST/Ti02薄膜。在200kV/cm、1MHz下,BST/Ti02薄膜的调谐率达到38.5%,损耗为O.87%,优值为44.2,比无缓冲层BST薄膜的优值提高了1倍。关键词:钛酸锶钡,Fe掺杂,Ti02缓冲层,介电调谐V上海大学硕十学位论文ABSTRACTBa

4、riumstrontiumtitanate(BST)hasbeenwidelyusedasmaterialsforphaseshiffersbecauseofitslargedielectricnonlinearity.BSTthinfilmswithhiglltunabilityandlowdielectriclossareneededformicrowavetunabledevicesSOastodecreasetheinsertionlossandimprovethesensitivity.Inthisthesis,dielectriclossofBSTthinf

5、ilmshasbeendecreasedbyacceptordopantsandTi02bufferlayerswhilemaintaininghightunability.Thus,thecomprehensivedielectricpropertieshavebeenimproved.Ba0.6St0.4T103thinfilmswithdifferentFecontentswerepreparedonPt/Ti/Si02/Sisubstratesbypulsedlaserdeposition(PLD)method.Asacceptordopants,Fe3+ion

6、smayenterthelatticeofBST,compensatethedonoractionofoxygenvacanciesduringannealingprocessathi曲temperatureandincreasethebarrierheight.TheBSFTthinfilmsweremainlyaffectedbythetensilestressresultingfromthethermalmisfit.Thus,thedielectriclossandleakagecurrentdensityweredecreased.BSFTthinfilmsw

7、ith0.3m01%Fedopantsrevealthemuchimprovedloss,tunabilityandfigureofmerit(FoM)of0.88%,44%and50.2(1MHz,300kV/cm).TheF,+ionsalsoimprovedthetemperaturestabilityoftunability.Ti02bufferlayerspreparedbysol—gelmethodwererutilestructure.MetalTitargetandceramicTi02targetWasusedforPL

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