铁钝化多孔硅紫外辐照下的发光稳定性研究

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5、ina；3。DepartmentofChemistryandEnvironmentalScience，ZhangzhouNormalUniversity，ZhangzhouFuji倒a363000，China)Abstract：Iron-p拟sivatedporoussilicon(ms)withredli垂tphotolumineseenee(一2．0ev》Wtt／／Ipre-删城hydrothermaletching．Undertheexposureoi"240nmultravioletlightirradi

6、ation，thephotolumines-ceil磐eintensityoftheIPSenhanced10％immediately，andthenturnedtobestable．Foudertrallsfonlt漱redspectrashowedthatstrongabsorptionsofSi—O*SiandSi*O—HwereestablishedintheIPS。andindicatedtheexistenceofoxidizedsilanegroups。Bothquantumconfinement／

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9、-mall：jdchen@126。。o嗽基蠡凌爨：瀑州耀熬攀藏辩瓣褒凌蒺袅《璞霹绫警{tz06rm)·34·热处理技术与装备第29卷定与其表面的钝化有关。阳极腐蚀法制备的新鲜多孔硅的发光强度会随表面氢的热分解而衰减。电子自旋共振测量显示，发光衰减是由氢的解吸附使表面作为非辐射复合中心的硅悬挂键数量增加引起的∞．6】。光诱导或低温下的氧化也会因引入非辐射复合通道而引起发光衰