可控硅的反向恢复触发保护探讨

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1、2008年第5期华中电力第2l卷可控硅的反向恢复触发保护探讨汪道勇，胡宇洋，何钢，刘熙3(1．国网运行有限公司上海超高压管理处，上海201402；2．国网运行有限公司宜昌超高压管理处湖北宜昌443002：3．国网电力科学研究院华瑞防雷科技股份有限公司．湖北武汉4300741摘要：可控硅是直流输电系统的核心元件，因此对可控硅保护的研究十分必要。可控硅在熄灭过程中，如果突然承受正向电压，可能出现局部导通产生局部过热导致可控硅遭受破坏的情况。为避免这种情况的发生，设置Tg-向恢复触发保护，该功能向可控硅发一触发脉冲使之均匀导通。对可控硅反向恢复期的情况进行了介绍，分析了现有反向恢复触发保护电

2、路的工作原理及存在的缺陷，并从如何改进保护动作的灵敏}生和可靠性方面提出了建议。关键词：高压直流输电；可控硅；反向恢复触发保护：TCU单元中图分类号：TM77文献标识码：A文章编号：1006—6519(2008)05．0026—03DiscussiononHVDCThyristorRecoveryProtectionandRPTestWANGDao-yong，HUYu—yang，HEGang3，LIUXi(1．StateGridOperationCompanyLimitedShanghaiExtraHighVoltageAdministrativeBureau，Shanghai2014

3、02，China；2．StateGridOperationCompanyLimitedYichangExtraHighVoltageAdministrativeBureau,Yichang443002，China；3．StateGridElectricPowerResearchInstituteofSGCC,Wuhan430074，China)Abstract：ThyristoristhecoreelementofDCpowertransmissionsystem．Theresearchonitsprotectionisveryimportant．Ifthethyristorwiths

4、tandsactivevoltagesuddenlyintheclosingprocess，partialoverheatwouldbeappearedbecauseofthepartialconductionandthethyristorwouldbedamaged．Inordertoavoidthisphenomenon，recoveryprotectionfiringisused．ThisfunctioncansendafiringimpulsetothethyristorandthethyristorCanbeconducteduniformlyInthupaper，thepo

5、sitiverecoverytimeisintroduced，Theworkingtheoryandtheshortcomingofexistedrecoveryprotectionisanalyzed．Suggestionsareproposedmodifythesensitivityandreliabilityoftheprotectionaction．Keywords：HVDCtransmission；thyristor；recoveryprotectionfiring；TCUuni护动作的有效性方面提出了建议。O引言1可控硅反向恢复基本原理可控硅是直流输电系统的核心元件，用于实

6、现交流和直流的变换。可控硅的造价高昂，功能重要，可控硅在关断过程中，电流从额定值降到零因而对可控硅保护的研究十分必要。后，才具备承受反向电压的能力。由于可控硅节电三常直流工程和三上直流工程均采用YST90容的存在，需要一定的反向恢复电荷，使得电流过型5英寸可控硅。可控硅在熄灭过程中，如果突然零后反向流动，这一过程被称为反向恢复期。在这承受正向电压，可能出现由于局部导通产生局部过一期间．可控硅内存在被称为恢复电荷的载流子，热导致可控硅遭受破坏。为避免这种情况的发生，且有：设置了反向恢复触发保护，该功能向可控硅发一触iq=Ci~du／dt(1)发脉冲使之均匀导通。从式(1)中可以看到，载流

7、子的强度i和可控本文对可控硅反向恢复期的情况进行了介绍，硅自身的结电容G以及加在可控硅两端的电压变分析了反向恢复触发保护电路的工作原理，并从保化率du／dt有关。C由可控硅的制造工艺决定，为常收稿日期：2008—07～29作者简介：汪道勇(1981一)，男，本科，助理工程师，从事超高压直流输电控制保护系统检修维护工作一26—第2l卷可控硅的反向恢复触发保护探讨2008年第5期数。载流子的强度i由可控硅两端的电压变化率du／dt决定。过高的du／