《芳环上取代反应》PPT课件

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1、第六章芳环上的取代反应一.亲电取代反应1.反应机理芳正离子的生成加成-消除机理2.反应的定向与反应活性a.反应活性与定位效应b.动力学控制与热力学控制c.邻、对位定向比亲电试剂活性空间效应。极化效应溶剂效应螯合效应原位取代(Ipsoattack)()3.取代效应的定量关系a.分速度因数与选择性()b.Hammett方程()二.芳环上亲核取代反应()1.加成-消除机理2.SN1机理()3.消除-加成机理(苯炔机理)()三.芳环上的取代反应及其应用1.Friedel-Crafts反应2.Rosenmund-Braun反应HHCCHCCHCCHHHHCCHCCHCCHH芳环上离域的π电子的作用

2、,易于发生亲电取代反应,只有当芳环上引入了强吸电子基团,才能发生亲核取代反应。一.亲电取代反应(一)加成-消除机理σ-络合物HEEE+Nu-芳正离子H2SO4NO2HNO32HSO+HSO-NO+24HNO3H3O242芳正离子生成的+NO2一步是决定反应NO2H速率的一步卤代反应:δδBr2+FeBr3BrBrFeBr3溴分子在FeBr3的作用下发生极化BrBrBrFeBrRH+Br+FeBr3R生成芳正离子BrBrRHR+H脱去质子实验已经证实芳正离子的存在:CH3HC2H5C2H5F/BF3H3CCH3BF-4-80℃H3CCH3CHm.p:-15℃3(二)亲电取代反应的特性与相对

3、活性反应活性:致活效应:取代基的影响使芳环的反应活性提高;致钝效应:取代基的影响使芳环的反应活性降低。Y第一类定位基:N(CH3)2,NH2,OH,OCH3,NHCOCH3,OCOCH3,Cl,Br,I,CH3,CH2COOCH3卤素对芳环有致钝作用第一类取代基(除卤素外)具有+I,或是+C效应,其作用是增大芳环的电子云密度。第二类定位基:+N(CH3)3NO2CNSO3HCHOCOCH3+COOHCOORCONH2NH3具有-I或-C效应使芳环上的电子云密度降低。定位效应(Orientation):芳环上取代基对于E+进入芳环位置的影响。第一类定位基-邻对位定位基第二类定位基-间位定位

4、基CHCH2CHCH2CHCH2CHCH2HHHH邻对位EEEECHCH2+ECHCH2CHCH2CHCH2间位共振式越多,HHH正电荷分散EEE程度越大,芳正离子越稳定。动力学控制与热力学控制HSO3H80℃165℃+H2SO4HSO3H165℃α位取代-动力学控制产物;β位取代-热力学控制产物。邻位和对位定向比:1)亲电试剂的活性越高,选择性越低:CH3相对速率o%m%p%HSO1760337HNO324NO+BF-/CHCN2.3692292432)空间效应越大,对位产物越多:C(CH3)3C(CH3)3100%H2SO4SO3H极化效应:Xo%p%m%XF12880Cl30691

5、I32608X具有-I效应,使邻位的电子云密度降低。F电负性-I电子云密度Cl依次效应降低的位置Br降低依次是不利于E+I减小进攻的。溶剂效应OCCH3CS2OOCH3CClCCH3AlCl3PhNO2E+被硝基苯溶剂化,体积增大。较大的空间效应使它进入1位。螯合效应:CH2CH3CH2OCH3OCH2CH269%(邻)-NO-NO28%(对)32NO2ONO2能够发生螯合效应的条件:1〕杂原子能与CH2CH3CH2OCH3OCH试剂结合;CH22NOH-H+2)所形成环为2产物五员环或六员NO2环。原位取代(Ipso取代):在芳环上已有取代基的位置上,发生取代作用-Ipso效应:CH3

6、CH3CH3CH3NO2NO2OAc++Ac2ONO2CH(CH3)2CH(CH3)2CH(CH3)2NO282%8%10%取代基消除的难易程度取决于其容纳正电荷的能力。+CH(CH3)2比较稳定,异丙基容易作为正离子消除。3.取代基的定量关系取代基效应与化学活性之间存在一定的定量关系1)分速度因数与选择性从定量关系上考虑邻、对、间位取代难易程度(6)(k取代)(z产物的百分比)分速度因数(f)=y(k苯)y-位置的数目通过每一个位置取代苯的活性与苯比较,把总的速率乘以邻位、间位或对位产物的百分比,再除以苯的取代速率的结果。kPhZ/2o异构体fo=k/×100PhH6kPhZ/2m异构

7、体fm=×k/100PhH6kPhZ/1p异构体fp=×k/100PhH6当f>1时,该位置的活泼性比苯大,否则比苯小。例如:在硝酸与乙酸酐的体系中甲苯的硝化速度是苯进行硝化反应的23倍,取代产物的百分比为:邻对间63%34%3%(6)(23)fo××(0.63)43.5(2)(1)(6)(23)fm××(0.03)2.1(2)(1)(6)(23)fp××(0.34)46.9(1)(1)氯苯和苯甲醚进行硝化反应时,分速度因数分别为:

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