《课程总结》PPT课件

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1、半导体器件物理总结2015冬第一章主要半导体材料的晶体结构。金属、半导体和绝缘体能带特点。Ge,Si，GaAs能带结构示意图及主要特点。本征半导体的载流子浓度，本征费米能级。非本征半导体载流子浓度和费米能级。Hall效应，Hall迁移率。半导体中的复合过程。半导体器件工作基本方程及用途。1。突变结的电荷、电场、电势分布，耗尽区宽度和电容。2。Pn结的理想电流电压特性—肖克莱方程。大致过程3。耗尽区产生复合、大注入、串联电阻效应等造成偏离理想情况的定性分析。4。了解扩散电容的形成和起作用的情况。5。各种击穿过程的基本原理与规律特点。6。瞬态特性，形成原因，如何提高开关速度。第二章-pn结第

2、二章-异质结,金属-半导体接触异质结1。n-p,p-n，n-n,p-p异质结在热平衡时的能带图象。2。异质结的主要特点。金属-半导体接触1。不同偏置状态金属-n型和p型半导体接触的能带图像。2。什么是肖特基效应，该效应对势垒的影响。3。金属-半导体接触中主要的输运机制有哪些？4。热电子发射理论和扩散理论的适用情况？需要考虑隧穿输运的条件？热电子发射理论的推导。5。如何确定势垒高度？两种极限情况是什么？如何测量？如何调节势垒高度？6。肖特基二极管与pn结二极管的主要区别？7。如何形成欧姆接触？第二章-异质结,金属-半导体接触1。BJT的能带结构，基本放大原理。2。静态特征：各电流的成分和关

3、系。3。共基极，共发射极电流增益，发射效率，基区输运因子，及关系。4。Gummel数，集电极电流，发射极掺杂浓度，大注入效应等对电流增益的影响。5。晶体管的四种工作模式，各模式下的少数载流子分布。基区少子分布与偏压的关系。6。共基极组态和共发射极组态输出特性的差别。7。如何增加特征频率，如何提高开关速度。8。什么是二次击穿。什么是发射极电流集边效应，如何解决。第三章双极晶体管第四章-MIS结构1.理想MIS结构的定义,不同偏压下的能带图像,用表面势取值范围区分不同的情况。2.半导体空间电荷密度随表面势S变化的典型关系。3.理想MIS系统的C-V特性曲线,不同偏压和不同频率的C-V关系。

4、平带电容,表面耗尽区的最大宽度,阈值电压。4.实际MOS二极管中,影响理想C-V曲线的主要因素。考虑到不同因素的平带电压和阈值电压表达式。有效净电荷。第四章MOSFET1。场效应晶体管与双极晶体管的主要区别。2。MOSFET,JFET,MESFET的基本结构、基本原理、分类、输出特性。3。MOSFET的短沟道效应。4。影响MOSFET阈值电压的主要因素，如何调整阈值电压。第五章1。发光二极管，半导体激光器，光探测器，太阳能电池：基本结构、原理。2。有无光照时pn结的能带结构,各电流,电压的方向。3。短路电流，开路电压，填充因子，效率，及相互关系。1。隧道二极管2。碰撞电离雪崩渡越时间二极

5、管3。转移电子器件产生负阻效应的主要原理第六章公式:导带底附近，非简并半导体，电子密度：价带顶附近，非简并半导体，空穴密度：热平衡条件（质量作用定律）:本征载流子浓度：突变Pn结耗尽区电中性条件：内建电势：结两侧空穴密度和电子密度，(加偏压之后也要知道）耗尽区宽度与内建势的关系：肖克莱方程，理想二极管定律静态共发射极电流增益:双极晶体管各电流之间的关系静态共基极电流增益:两个饱和电流之间的关系:强反型开始半导体平带电容：MIS结构的电中性条件：总电压：绝缘层上的压降：半导体最大耗尽区宽度：在不同情况下的开启电压（阈值电压）:VT(强反型）=-QS/Ci+2B+VFB+V