电性能参数及影响因素介绍

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1、电性能参数及影响因素介绍晶澳太阳能生产部电参数介绍A.Uoc:开路电压B.Isc：短路电流C.Rs：串联电阻D.Rsh：并联电阻E.FF：填充因子ImppF.Pmpp：最大功率G.Umpp：最大功率点电压H.Impp：最大功率点电流I.Irev1：反向电流1(-10V)J.Irev2：反向电流2(-12V)PmpK.Ncell：转换效率pPmaxRs是該段線斜率△I△V2March23,2011晶澳太阳能生产部各个参数之间的关系A.在所有参数中，只有电压和电流是测量值，其他参数均是计算值。B.Pmpp为在I-V曲线上找一点，使改点的电压乘以电流所得

2、最大，该点对应的电压就是最大功率点电压Umpp，该点对应得电流就是最大功率点电流ImppC.Rs为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值，只是一个计算值，所以有时候会出现负值的情况D.Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率E.Irev1为电压为-10V时的反向电流F.Irev2为电压为-12V时的反向电流G.Rs和Rsh决定FFH.Rsh和Irev1、Irev2有对应的关系I.计算公式：J.Ncell=Pmpp/S（硅片面积）K.Pmpp=Umpp*Impp=Uoc*Isc*FFL.FF=（Umpp*I

3、mpp）/（Uoc*Isc）3March23,2011晶澳太阳能生产部转换效率的影响因素4March23,2011晶澳太阳能生产部测试外部参数影响温度光强I/光强降I/A低A温度升高U/VU/V正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增大，整体转换效率降低正常光强为1000±50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧下降，整体转换效率降低5March23,2011晶澳太阳能生产部串阻Rs组成测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成：1.材料体电阻（可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体）2.正面电极金属栅

4、线体电阻3.正面扩散层电阻4.背面电极金属层电阻5.正背面金属半导体接触电阻6.外部因素影响，如探针和片子的接触等烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。可以这样考虑，上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻；5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响Rs的最终值；6属于外部测试因素，也会导致Rs变化6March23,2011晶澳太阳能生产部Rs影响因素RS偏大检查测试机探针检查网印第三道检查扩散方块电阻核对原始硅片电阻率是否正好压到印刷烧结问题虚印情况是否存在偏大现象是否偏大主栅线上通知设备进行调整，看探针是否变

5、脏通知张永伟进行调整，做好记录，对电阻率但同时需注意调整前后烧结炉设备问题工艺问题探针寿命是否到期稳定方阻在正常范围内偏大的单独追踪栅线是否有变粗现象浆料是否有异常烧结炉进出水擦拭探针如新批次、型号混用、温度压力是否变化沾染铝浆等烧结炉排风以及烧结炉功率以及更换探针冷却风扇是否有异常温度波动是否有异常放片的均匀性烧结炉灯管是否工艺过程中的污染有问题如网带、传送带、工作台等组件学习报告7March23,2011晶澳太阳能生产部并阻Rsh组成A.测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出，主要由边缘漏电和体内漏电决定B.边缘漏电主要由以下几个方面

6、决定：C.①边缘刻蚀不彻底D.②硅片边缘污染E.③边缘过刻F.G.体内漏电主要几个方面决定H.①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿I.②由于铝粉的沾污导致的烧穿J.③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电K.④工艺过程中的其他污染，如工作台板污染、网带污染、炉管污染、DI水质不合格等组件学习报告8March23,2011晶澳太阳能生产部Rsh影响因素并联电阻低工艺过程原材料因素工艺因素污染硅片中金属杂质含量过高刻蚀工艺PE工艺扩散烧结工艺设备环境因素人为因素缺陷密度过大工艺时间过短气操作过程中使用体比例不合适边缘烧结温度太高PE膜的致密性较工具的污染PN

7、结未完全去除方阻太高扩散炉炉管污染网印机工作台磨损差导致烧结易烧穿操作中污染边缘刻蚀过宽烧结和方阻不匹配擦拭片等烧结炉工艺稳定性检查并测试刻蚀机椭偏移到厂后定量外围设备稳定性监控DI水污染卫生环境污染刻蚀效果测试膜厚折射率方阻均匀性方阻范围控制组件学习报告9March23,2011晶澳太阳能生产部Uoc影响因素开路电压低材料本体工艺因素扩散PN结PE钝化效果制绒表面硅片质量较差质量较差较差网印背电场Rsh小硅片电阻率高硅片厚度厚损伤层未完全少子寿命低扩散炉管扩散钝化效果效果较差暗电流大去除洁净度差较差组件学习报告10March23,2011晶澳太阳

8、能生产部Isc影响因素Isc低原材料因素工艺因素制绒绒面不好，未完PE减反射膜效果原材料杂质含量高全出绒，影响光的PN结太