《MEMS基本结构》PPT课件

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1、MEMS基本结构加工工艺王晓浩wangxh@ntl.pim.tsinghua.edu.cnMEMS基本结构坑、沟、槽薄膜、梁凸台、质量块电容电阻线圈引线坑、沟、槽的制备湿法体硅腐蚀二氧化硅单晶硅等离子干法腐蚀氮化硅单晶硅高深宽比结构（ICP、ECR）单晶硅薄膜、梁直接腐蚀，控制反应时间牺牲层腐蚀自停止腐蚀（重掺杂）SOI电镀非表面薄膜的制备（体硅腐蚀）凸台和质量块体硅腐蚀梁或平面+电镀防削角措施基本电子元件电容单芯片形成电容多芯片组装形成电容电阻电感（平面线圈）基本线圈制备带软磁材料芯的线圈PZT压电材料的制备溅射（厚度低）制作专用溅射靶，进行溅射溅射靶和目标浓度区别

2、烧结（厚度中等）PZT粉末+有机溶剂，涂覆150C烘干10分钟，950C烧结1小时SOL-GEL（大厚度）原料：醋酸铅，异丙醇钛，丙醇锆，溶剂加水解物，按配比涂覆，烘干高分子材料：聚酰亚胺工艺高分子材料用于结构层：类似于光刻胶，表面粘附性好，台阶覆盖性好光敏聚酰亚胺(PSPI：photosensitivepolyimide)光敏聚酰亚胺可以直接光刻显影成形，经过亚胺化去掉光敏基团后，性能稳定，并与硅片有很强的粘附性，在一定程度上能够抗碱性腐蚀液，膜厚可做到30m以上。聚酰亚胺的分子结构有利于在加热时发生进一步的环化反应，产生更稳定的大共轭环状结构体系，这一过程称

3、为亚胺化。光敏聚酰亚胺基本性能光敏聚酰亚胺工艺参数光刻甩胶：1100rpm，水平放置0.5~2h，自动均匀化；预烘：温度通常在90℃左右，10分钟；曝光：在300W汞灯下曝光2分钟左右；显影：专用显影液2分钟左右，加超声；坚膜：温度120℃～140℃，时间30分钟左右。亚胺化从100℃起，缓慢升温到300℃，6~7小时，300℃保持2小时；从100℃起，每次升温50℃，保温1.5~2小时，直至300℃保温2小时。MEMS工艺专题作业2000年后参考文献上查找某种MEMS器件的制作工艺，要求所用工艺环节不少于5种。课题与MEMS相关的，可以针对自己的设计做报告。读懂制作

4、过程，写出工艺报告。报告包括工艺简图和流程说明。EMAIL：wangxh@ntl.pim.tsinghua.edu.cnDeadline：2002年4月20日