广工 模电试卷2

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1、广东工业大学考试试卷()课程名称:模拟电子技术考试时间:第12周星期五(11月日)题号一二三四五六七八九十总分得分评分人一、填空题（每题2分，共20分）1．PN结反向偏置时，PN结的内电场被____增强_____________。2．共射放大电路，将IEQ增大，Rbe将______减小____________。3、双极型晶体管是电流（电流，电压）控制型元件；场效应管是（电压（电流，电压）控制型元件。双极型晶体管输入电阻较小（大，小）；场效应管输入电阻很大（大，小）。4.在共射、共集、共基三种基本组态电路中，希望工作频率较高的电路是共基

2、；希望带负载能力最强的电路是共集。5、某晶体管的电路如图1所示，则该管工作在饱和状态。6、某MOS放大电路的外部电路如图2所示，由图即可判断该管是（耗尽）型MOS管。7、测得某晶体管三个极的电位如图3所示，则该管工作在　饱和　　状态。8、晶体管“集----基”极间反向饱和电流为ICBO，则“集----射”极间的反向饱和电流ICEO为__（1＋β）ICBO__________。学院：专业：学号：姓名：装订线广东工业大学试卷用纸，共页，第页9、在BJT三种组态放大电路中，电流放大倍数最高的是___共集电极_________，输入电阻最小的

3、是___共基极____.10、晶体管阻容耦合放大器电路中，高频时放大倍数下降的主要原因是_极间电容__的影响；低频时放大倍数下降的主要原因是_耦合电容旁路电容_的影响。二...项选择题(每小题2分，共12分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。11．在本征半导体中掺入三价元素后的半导体为（　B　）（A）本征半导体　　　（B）p型半导体　　　（C）n型半导体　12．带射极电阻Re的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce，后其电压放大倍数（　B　）A.减小　　　　　　　B.增大C.不变

4、D.变为零13．场效应管放大电路的输入电阻，主要由（　C　）决定A.管子类型B.gmC.偏置电路D.UGS14.晶体三极管基极电流IB=0.02mA，发射极电流IE=1.02mA，其电流放大系数β、α分别为（B）。A.51、0.98B.50、0.98C.49、0.98D.48、0.9815.某放大电路最大源电压增益Avsm=40dB，则在上限频率fH处的源电压增益为（B）dB。A.35B.37C.40D.4316.输入信号vi的频率范围为50Hz～20kHz，应选择下限频率fL和上限频率fH分别为（C）的放大电路，才能对信号进行不失真

5、放大。A.≤50Hz、≥15kHzB.≤100Hz、≥15kHzC.≤50Hz、≥20kHzD.≤100Hz、≥20kHz三、计算题（共68分）1．已知：电路如图示，试回答下列问题：（1）写出直流负载线表达式，在图（b）上画出直流负载线，求静态工作点（；(2)画出微变有效电路，求出电压放大倍数ri、ro，（3）求最大不失真电压。（12分）广东工业大学试卷用纸，共页，第页2、低频交流放大电路如图5所示，该电路有两个输出端。已知UCC=12V,RB=300kΩRC=RE=2kΩ，RS=100Ω，β＝50，rbe=1kΩ。（1）计算静态值I

6、B、IC、UCE（UBE=0.7V）；（2）画出微变等效电路，求两个输出端的电压放大倍数和；（3）求该电路输入电阻ri和两个输出端的输出电阻ro1和ro2;（4）如果输入信号是正弦信号，试对比输入信号定性画出输出电压及波形；（14分）BR+iuuo2CCU+T+ER图5CR+uo1123．已知RB11=30kW，RB12=20kW，RB2=130kW，，RC1=4kW，，RE1=4kW，RE2=3kW，RL=3kW，b1=b2=50，UCC=12V。求静态工作点及电压放大倍数。（12分）广东工业大学试卷用纸，共页，第页4.已知RG=1

7、0MW，RG1=2MW，RG2=47kW，RD=30kW，RS=2kW，UDD=18V,UGS=-0.2V,gm=1.2.mA/V。求(1)静态工作点;(2)电压放大倍数;(3)输入电阻和输出电阻。（12分）5.电路如图所示，场效应管的输出特性如图所示。试分析当uI=2V、8V、12V三种情况下，场效应管分别工作于什么区域。(6分)6．某共射电路如题图，已知三极管的rbb’＝300Ω，rb’e＝700Ω，gm=0.04s不考虑Cb’c，Cb’e＝400pF，图中C1＝2μF，C2＝4μF，Rb＝20kΩ，Rs＝800Ω，Rc＝RL＝2

8、kΩ；（12分）（1）计算上、下限截止频率ƒH,ƒL；（2）简要画出幅频、相频特性波特图；广东工业大学试卷用纸，共页，第页