第28讲 最不利原则

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1、第*’卷增刊半!导!体!学!报a>D2*’!%

2、调制掺杂场效应晶体管$获得了高耐压的场效应器件电学特性$并有望制成新型红外光电探测场效应管2关键词’"6$H量子点(光致发光谱(调制掺杂(场效应晶体管’’%&&)*.*+%!!!$%&&))-’.&中图分类号’[Q(0*!!!文献标识码’$!!!文章编号’+*.0J(,))$*++.&%+J+*0-J+.dNJNU!??结构的器件应用方面的研究报道尚不!!引言多见2本文研究了内嵌"6$HdNJNU!??的调制掺低维自组装应变量子点#dN%正日益受到人们杂X5$H.$DX5$H场效应晶体管#=_NJ^![%的光的广泛关注$该结构不仅有助于人们探索低维结构电特性2观测到"6$HdNJNU!??样品

3、近,b0&1体系中的原理性问题$还具有潜在的器件应用前景$波长附近的发光$光致发光#&?%峰位随温度升高发有关研究报道了自组装"6$H量子点在量子点激光生超常红移现象$红移量约为W-19a2制备了内嵌*,$*+*0+*("’+器’光存储器’光探测场效应管等方面的"6$HdN的调制掺杂场效应结构$并对器件电学特应用2随着半导体制造技术的发展$用=!设备可性进行了测试$获得了高耐压值的器件"#$特性2以在大失配材料体系上采用%CF56HT;JOF5HC56>R#%O%模式生长高质量的低维量子结构材料$在此方"!器件结构及工艺法中$沉积在不同衬底材料上的外延层超过一定临界厚度就能形成所谓的零维量子

4、点结构$这也是目图,$*给出了样品结构及对应能带结构示意图2实验样品由=!设备生长$采用6j前制备"6$H量子点常用的方法之一2近年来人们X5$H的研究兴趣仍是期望将"6$H.X5$H量子点的发光#,++%衬底$在’++h温度下生长.++61X5$H缓冲波长扩展到,b0&1的光通信波段$采用"6X5$H或层$其上生长,++61$D+20X5+2)$H缓冲层(然后生长调制掺杂层$首先是(+61掺%;#,m,+,-Z0%"6$D$H等材料作为"6$H量子点应力缓冲层的,阱E1中生长量子点-#I>CHJ;6JR9DD>FNU!??%结构是一$D+20X5+2)$H层$紧接着生长*+61$D+20X

5、5+2)$H间*)"W+种扩展"6$H量子点发光波长的有效方法$该方隔层#HG5E9FD5L9F%$随后生长*+61本征X5$H量法用"6X5$H作为盖层$其目的是减小"6$H量子点子阱#dU%层2调制掺杂层生长完毕后$以*+61所承受的应力$同时可以抑制"6的偏析$但是研究$D$H作为势垒层$接着在"6+2*X5+2-$H阱中以%JO内容多是关注材料生长和光学性能分析$关于该模式生长自组装"6$HdN$先在$D$H垒层上淀积#国家重点基础研究发展计划资助项目#批准号)*++,#+W0++%!曾宇昕!男$,W)(年出生$博士研究生$主要从事半导体器件物理研究2!15;D)LKB967#F9

6、I2H91;25E2E6!*++(J,,J+,收到$*++(J,*J+-定稿’*++.中国电子学会增刊曾宇昕等)!内嵌自组装"6$H量子点调制掺杂场效应管的光电特性*0W(61"6+2*X5+2-$H作为应力缓冲层#%]?%$接着将系X5$H场效应晶体管#=_N^![%的"#$特性用8&统温度降为.++h生长*b.=?的"6$HdN$然后再(,(+&$电学特性测试仪测得2用,+61%]?"6作为量子点覆盖层2量子+2*X5+2-$H点生长完毕后系统温度回升至’++h再生长’+61(!实验结果与讨论,-$D+20X5+2)$H覆盖层和0+61高掺杂X5$H#0m,+Z0%欧姆接触层2生长过程中

7、衬底样品保持匀速E1(2!!光学特性测试旋转$以获得高质量均匀量子点结构2样品随温度变化的光致发光光谱如图0$(所6jX5$H0+61%;j0m,+,-E1Z0示2图0表征的是"6$HdN的发光$由图中可以看;J$D+20X5+2)$H’+61"6+2*X5+2-$H,+61%?D5L9F出$"6$HdN的发光峰呈现良好的高斯型分布$在"6$HdN*b.=?%JO$.++h低温下$"6$HdN的