MOSFET功率管器件单粒子烧毁效应(SEB)截面测量

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1、第38卷第5期原子能科学技术Vol.38,No.52004年9月AtomicEnergyScienceandTechnologySep.2004MOSFET功率管器件单粒子烧毁效应(SEB)截面测量11122李志常,李淑媛,刘建成,曹 洲,杨世宇(11中国原子能科学研究院核物理研究所,北京 102413;21中国航天科技集团公司五院510所,甘肃兰州 730000)163579127摘要:对MOSFET功率管进行了O、Cl、Br离子及高剥离态I离子的单粒子烧毁(SEB)效应截面测量,得到了SEB截面相对于线性能量

2、转移(LET)值的曲线。对两种类型10片MOSFET功率管器件的SEB截面进行了测量。研究了器件在不同工作条件下,如不同的漏源电压VDS和栅源电压VGS条件12779下的SEB效应。在相同条件下,I的SEB截面比Br的高近两个量级。关键词:高剥离态;单粒子烧毁;注量率中图分类号:TL81715文献标识码:A文章编号:100026931(2004)0520395204MeasurementsoftheCrossSectionsoftheSingleEventBurnout(SEB)forthePowerMOSFET

3、11122LIZhi2chang,LIShu2yuan,LIUJian2cheng,CAOZhou,YANGShi2yu(1.ChinaInstituteofAtomicEnergy,P.O.Box275210,Beijing102413,China;2.AirspaceGroupCorporationofChina,5thInstitute,P.O.Box94,Lanzhou730000,China)Abstract:Theexperimentaldetailsformeasurementsofthesingl

4、eeventburnout(SEB)163579crosssectionofpowerMOSFETaredescribedincaseofionsirradiationofO,Cl,Br,and127highlystrippedchargestateionI,thereforethecurvesoftheSEBcrosssectionvs.linearenergytransfer(LET)valueswereobtained.ThemeasurementsoftheSEBcrosssectionfor10piec

5、esdevicesoftwotypeswerecarriedout.ThelawsoftheSEBatthedifferentdrain2sourcevoltageVDSanddifferentgrid2sourcevoltageVGSweredemonstrated.TheSEBcross12779sectionforIishigherthanforBrbytwoordersofmagnitudenearlyatsamecondition.Keywords:highlystrippedchargestate;s

6、ingleeventburnout;irradiationdoserateMOSFET功率管器件是卫星中的关键器毁(SEB)效应是指由于功率晶体管中的高电流件之一,常用作二次电源的功率开关管。作为状态致使器件损伤,造成永久性的破坏,包括功卫星供电系统,它的作用极为重要。单粒子烧率管MOSFET的烧毁、栅穿、位冻结及电荷耦收稿日期:2003209209;修回日期:2004202204基金项目:国家自然科学基金资助项目(A050401);武器装备预研基金资助项目(51411050701HZ0101)作者简介:李志常(

7、1940-),男,湖北武汉人,研究员,核物理专业396原子能科学技术  第38卷合器件(CCD)中的噪声等。在我国,利用加速器产生的重离子进行辐照,获得微电子器件单粒子烧毁效应完整曲线方面的系统的研究工作极少,主要原因是离子的线性能量转移(LET)值难以达到要求。本工作拟将高剥离态离子加[1]速、引出技术及0°束Q3D谱仪焦面辐照方法应用于MOSFET器件单粒子烧毁效应的模拟实验研究。图1 高剥离态加速、引出及0°束Q3D磁谱仪焦面辐照装置1 实验装置Fig.1Setupofacceleratingandextr

8、actingthe实验装置示于图1。MOSFET功率管烧heavy2ionswithhighlystrippedchargestates毁效应检测系统及重离子辐照注量监测系统框anddeviceirradiationatthefocalplane图示于图2。与MOSFET功率管器件单粒子ofQ3DmagneticspectrometerSD1,SD2———探测器;D1,D

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