单层OLED器件模型的MATLAB分析计算

单层OLED器件模型的MATLAB分析计算

ID:38740533

大小:545.96 KB

页数:4页

时间:2019-06-18

单层OLED器件模型的MATLAB分析计算_第1页
单层OLED器件模型的MATLAB分析计算_第2页
单层OLED器件模型的MATLAB分析计算_第3页
单层OLED器件模型的MATLAB分析计算_第4页
资源描述:

《单层OLED器件模型的MATLAB分析计算》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、万方数据第34卷第6期2012年6月红外技术InfraredTechnology、,01.34No.6June2012单层OLED器件模型的MATLAB分析计算王忆锋,唐利斌,岳清(昆明物理研究所,云南昆明650223)摘要:近年来有机发光二极管(OLED)的工业应用特别是在平板显示器中的应用已被广泛研究。OLED发光是分别由阴极和阳极注入的电子和空穴在发光层中复合的结果。单层结构是OLED器件的基础。为了提高OLED器件的性能,需要详细理解电荷载流子的注入过程。借助MATLAB求解了无量纲单层OLED器件模型,介绍了有关分析计算方法和技巧。综合利用M

2、ATLAB提供的符号求解常微分方程、绘图等命令,可使工作量大为减少。该方法具有编程简单,使用方便、实用性强等特点。关键词:有机发光二极管;电场分布;载流子分布;单层模型中图分类号:TN304.5文献标识码:A文章编号:1001.8891(2012)06.0332.04MATLABAnalysisandComputationofSingleLayerOLEDDeviceModelWANGYi—feng,TANGLi—bin,YUEQing(KunmingInstituteofPhysics,KunmingYunnan650223,China)Abstra

3、ct:Organiclight—emittingdiodes(OLED)havebeenextensivelystudiedforindustrialapplication,especiallyforfiatpaneldisplaysinrecentyearS.LightemittinginOLEDistheresultoftherecombinationofelectronandholeinlightemittinglayer,whichareinjectedfromcathodeandanode.Singlelayerstructureistheb

4、asisofOLEDdevice.ToimprovetheefficiencyofOLEDdevice,adetailedunderstandingofthechargecarrierinjectionprocessesisnecessary.Inthispaper,themodelofsinglelayerOLEDdeviceindimensionlessformwassolvedwiththehelpofMATLAB,theanalyticalmethodsandskillswerepresented.Theworkloadcanbegreatly

5、reducedwithsynthesizeduseofanumberoffunctionsprovidedinMATLAB,suchassymbolicsolutionofordinarydifferentialequations,plotetc.Thistechniqueissimpleinprogramming,convenientinoperationandpractical.Keywords:organiclightemittingdiode,electricfielddistribution,carrierdistribution,singl

6、elayermodel0引言1OLED器件的基本模型近年来,长寿命、高亮度、低功耗的有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)及基于OLED的显示器件是国内外光电器件行业产学研各界关注的热点之一。从机理上说,OLED器件的发光是分别从阴极和阳极注入的电子和空穴在发光层中复合的结果【lJ。单层结构足OLED器件发展的基础,其模型是一组数学物理方程。手工分析或自编程序计算均有一定工作量。利用MATLAB强大的计算功能求解该模型,具有概念清晰、编程简单、工作量小、易于操作等特点。半导体在总体上是电中性的。在饱和电离的情况下

7、,半导体内净的空间电荷量为带电载流子浓度与电离杂质浓度的代数之和,即:p=q(p一玎+^,d一^,a)(1)式中:p为空间电荷密度;q为电子电荷量;Nd为施主掺杂浓度;Ⅳa为受主掺杂浓度;/'It、p分别为非平衡状态下的电子浓度和空穴浓度。为简洁计,将电场强度占的一阶导数dddxiE为毒,等等。幽建间满足高斯定律【2J舌=191(p-n),19l=ql(eo∞(2)式中:痂为真空介电常数;品为相对介电常数。另外,收稿日期:2012-05.07.作者简介:王忆锋(1963-),男,湖南零陵人.1984年毕业1‘北京工业学院(今北京理工大学)计算机系,工学

8、士。高级1=程师。2000年8~2001年6月在美国内布拉斯加大学林肯分校计算机系做国家公派访

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。