在 TFT-LCD_工艺制程简介

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2、马微电子有限公司企业标准TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称Q/S0001-2007第23页共23页更改状态更改内容更改人更改日期一．TFT工艺流程中英文标准名称ArrayProcessFlow阵列段工艺流程Input投料Unpacking拆包装Initialclean预备清洗Particlecount尘埃粒子测试Gate栅电极层Cleanbeforedepo成膜前清洗Gate（Mo/Alalloy)Filmdepo栅电极成膜RSmeter电阻测量MacroInspection宏观检查CleanbeforePR涂胶前清洗Prebake预烘PRCoa

3、ting光刻胶涂布PRvacuumdry(VCD)光刻胶低压干燥PRsoftbake前烘Expose曝光TitlerExpose/EdgeExpose打标/边缘曝光Develop显影PRhardbake坚膜ADI显影后自动光学检查Mic/MacInspection宏微观检查CDafterdevelop显影后关键尺寸检查Totalpitch长寸测量GateWetetch栅电极湿刻Contactangle接触角测量PRstrip光刻胶剥离CDafteretch刻蚀后关键尺寸测量AEI刻蚀后自动光学检查Micro/MacroInspection宏微观检查LaserRe

4、pair激光修补上海天马微电子有限公司企业标准TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称Q/S0001-2007第23页共23页Active层Cleanbeforedepo成膜前清洗ActivefilmdepoActive成膜AOI自动光学检查MacroInspection宏观检查ThicknessMeasurement厚度测量CleanbeforePR涂胶前清洗Prebake预烘PRCoating光刻胶涂布PRvacuumdry光刻胶低压干燥PRsoftbake前烘Expose曝光Develop显影PRhardbake坚膜ADI显影后自动光学检查Mic

5、/MacInspection宏微观检查ActivefilmDryetch&AshingActive膜干刻与灰化ThicknessMeasurement厚度测量PRstrip光刻胶剥离AEI刻蚀后自动光学检查Mic/MacroInspection宏微观检查S/D源/漏电极层Cleanbeforedepo成膜前清洗S/DMofilmdepo源/漏电极成膜RSmeter电阻测量MACROInspection宏观检查CleanbeforePR涂胶前清洗Prebake预烘PRCoating光刻胶涂布PRvacuumdry光刻胶低压干燥PRsoftbake前烘Expose曝

6、光Edgeexpose边缘曝光Develop显影PRhardbake坚膜ADI显影后自动光学检查MIC/MACInspection宏微观检查CDafterdevelop显影后关键尺寸检查Hardbakebyoven烘炉坚膜S/DMoWetetch源电极/漏电极湿刻n+a-SiDryetchn+高掺杂膜干刻上海天马微电子有限公司企业标准TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称Q/S0001-2007第23页共23页PRstrip光刻胶剥离ThicknessMeasurement厚度测量CDafteretch刻蚀后关键尺寸测量AEI刻蚀后自动光学检查Mic

7、ro/MacroInspection宏微观检查CleanbeforeO/Stest短路/开路测试前清洗Open/ShortTest短路/开路测试Passivation保护层Cleanbeforedepo成膜前清洗Pass'nfilmdepo保护膜成膜AOI自动光学检查MACROInspection宏观检查ThicknessMeasurement厚度测量CleanbeforePR涂胶前清洗Prebake预烘PRCoating光刻胶涂布PRvacuumdry光刻胶低压干燥PRsoftbake前烘Expose曝光Edgeexpose边缘曝光Develop显影PRhar

8、dbake坚膜ADI显影