模拟第2单元三极管及放大电路基础

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1、第2单元三极管及放大电路基础三极管1共发射极基本放大电路2放大电路的静态分析3放大电路的动态分析4工作点稳定电路5放大电路的3种基本组态6第1节三极管一、三极管的结构和符号二、三极管中的电流分配三、三极管的特性曲线和主要参数四、特殊三极管简介三极管的结构和符号一、三极管概述塑封小功率三极管大功率三极管高频大功率三极管三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类。（1）按半导体材料分，可分为硅管和锗管。硅三极管工作稳定性优于锗三极管，因此当前生产和使用的多为硅三极管。（2）按内部基本结构分，可分为NPN型和

2、PNP型两类。目前，我国制造的硅管多为NPN型（也有少量PNP型），锗管多为PNP型。（3）按功率大小分，可分为小功率管、中功率管和大功率管。（4）按工作频率分，可分为超高频管、高频管、低频管。二、三极管的结构和符号发射区基区发射极e基极b集电极c集电区发射结集电结不管是NPN管还是PNP管，为了获得良好的特性，都是发射区高掺杂，基区掺杂浓度低，集电结面积尽量大。三极管中的电流分配一、三极管具有放大作用所具备的条件1、内部条件：发射区进行高掺杂，多数载流子浓度很高；基区做得很薄，掺杂少，则基区中多子的

3、浓度很低。2、外部条件：三极管的发射结必须偏置，集电结必须反向偏置，即对NPN管，要求UC>UB>UE，对于PNP管，要求UC

4、C≈IE3、具有电流放大作用，当IB有个较小的变化时，相应的IC就有个较大的变化。用放大系数来衡量这种放大作用，有直流放大系数和交流放大系数之分，两者差距不大，不严格区分。三极管的特性曲线和主要参数一、输入特性曲线RCRBIC＋－UCE＋－μAmAVVUEBIBUBEUCC当集电极与发射极之间的电压为一常数时，基极电流与基极电压之间的关系，即UBE/VIB/mA1.0O0.020.040.060.080.100.20.60.40.8UCE=0VUCE≥1V常用UCE≥1V的一条曲线来代表所有输入特性曲

5、线，也存在死区电压，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的约为0.2V；导通时，发射结电压UBE不大，硅管为0.6—0.7V，锗管为0.2—0.3V。（1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置（2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置二、输出特性曲线：当基极电流为固定值时，集电极电流与集电极电压之间的关系。iB>0，uBE>0，uCE≤uBE/V4321IB=0036912UCE20μA40μA60μA80μA100μA饱和区截止区放大区IC/mA三、半导体

6、三极管的主要参数（1）电流放大系数①共射直流电流放大系数：它表示集电极电压一定时，集电极电流和基极电流之间的关系。即②共射交流电流放大系数β：它表示在UCE保持不变的条件下，集电极电流的变化量与相应的基极电流变化量之比。在今后估算时常认为（2）极间电流①集电极反向饱和电流ICBO：ICBO是指发射极开路，集电极与基极之间加反向电压时产生的电流作为晶体管的性能指标，ICBO越小越好。②穿透电流ICEO：ICEO是基极开路，集电极与发射极间加电压时的集电极电流。晶体管工作在放大区，集电极电流的表达式变为：

7、（3）极限参数①集电极最大允许耗散功率PCM：晶体管在使用时，应保证PC

8、表示。这三个极限参数决定了晶体管的安全工作区特殊三极管一、光电三极管将光信号转换成光电流信号的半导体受光器件，并且还能将光电流放大，又称为光敏三极管。二、光电耦合器将发光器件（LED）和受光器件（光电二极管或光电三极管）封装在同一个管壳内组成的电-光-电器件。第2节共发射极基本放大电路（1）三管极VT：是放大电路的核心元件，它在电路中起电流放大作用，它的工作状态决定了放大电路能否正常工作。（2）集电极直流电源VCC：正极接三极管的集电极，为集电结提供反向