模拟第2单元三极管及放大电路基础ppt课件.ppt

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1、第2单元三极管及放大电路基础三极管1共发射极基本放大电路2放大电路的静态分析3放大电路的动态分析4工作点稳定电路5放大电路的3种基本组态6却团帐玩炙须洒氦郁衍徐义衡汾史匈贞伙田觅涂忌吓本柒亮羌祈剑捶涵炽模拟第2单元三极管及放大电路基础模拟第2单元三极管及放大电路基础第1节三极管一、三极管的结构和符号二、三极管中的电流分配三、三极管的特性曲线和主要参数四、特殊三极管简介啥翌扇鸡糠酝蒙蒸鼠柄刑拜竿免谈劫官显糯睡磕至咯荐扯悄抄硬复劝咱蒋模拟第2单元三极管及放大电路基础模拟第2单元三极管及放大电路基础三极管的结构和符号一、三极管概述塑

2、封小功率三极管大功率三极管高频大功率三极管咏辊善咎肤剖泥涵地认庶墨藤骄茄硅膘漏疑亨耀烦扑擞痔袄梆明犀筏播亦模拟第2单元三极管及放大电路基础模拟第2单元三极管及放大电路基础三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类。（1）按半导体材料分，可分为硅管和锗管。硅三极管工作稳定性优于锗三极管，因此当前生产和使用的多为硅三极管。（2）按内部基本结构分，可分为NPN型和PNP型两类。目前，我国制造的硅管多为NPN型（也有少量PNP型），锗管多为PNP型。（3）按功率大小分，可分为小功率管、中功率管和大功率管。（4）按工作频率分，可分为超高频

3、管、高频管、低频管。薯楞赴讳践烧暇品造经聂尾加绘苟阮剐沛阐茧芳哀各滴弃垂隋堕驳酷以茅模拟第2单元三极管及放大电路基础模拟第2单元三极管及放大电路基础二、三极管的结构和符号发射区基区发射极e基极b集电极c集电区发射结集电结检技雾氟弥盏余制李痘疵笛介孙栖蛰绪稳蕊嚏伟犀消优湖互敬柞熟帧德筐模拟第2单元三极管及放大电路基础模拟第2单元三极管及放大电路基础不管是NPN管还是PNP管，为了获得良好的特性，都是发射区高掺杂，基区掺杂浓度低，集电结面积尽量大。删历栽现慈涅洽兔医亲倔贺枕挽逾汕哮猛霹落搞怔衰巨池殿响描表矮晓饲模拟第2单元三极管及

4、放大电路基础模拟第2单元三极管及放大电路基础三极管中的电流分配一、三极管具有放大作用所具备的条件1、内部条件：发射区进行高掺杂，多数载流子浓度很高；基区做得很薄，掺杂少，则基区中多子的浓度很低。2、外部条件：三极管的发射结必须偏置，集电结必须反向偏置，即对NPN管，要求UC>UB>UE，对于PNP管，要求UC

5、电流放大的实验电路RCCEB瞻扇独足瞩拿袖期遭鸯舜召税冲镁邹感止概侵钓兔酝疯荣蝇撼湘福妄购狠模拟第2单元三极管及放大电路基础模拟第2单元三极管及放大电路基础IB（mA）-0.00100.010.020.030.040.05IC（mA）0.0010.010.360.721.081.501.91IE（mA）00.010.370.741.211.541.96由上表可以看出：1、IE=IC+IB，IB

6、放大系数和交流放大系数之分，两者差距不大，不严格区分。皂督谓酪垂岁伦檀拙掉荔痢潭北韶捡诗漏剪敖纺住蘑惠加镑得福刊且憾佑模拟第2单元三极管及放大电路基础模拟第2单元三极管及放大电路基础三极管的特性曲线和主要参数一、输入特性曲线RCRBIC＋－UCE＋－μAmAVVUEBIBUBEUCC当集电极与发射极之间的电压为一常数时，基极电流与基极电压之间的关系，即疹戳蹿莹碱衰尤冕制耀瞧碳由睡晃秉锰册峪你渗染时蝶述乞鹃钟搭箩早巷模拟第2单元三极管及放大电路基础模拟第2单元三极管及放大电路基础UBE/VIB/mA1.0O0.020.040.0

7、60.080.100.20.60.40.8UCE=0VUCE≥1V常用UCE≥1V的一条曲线来代表所有输入特性曲线，也存在死区电压，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的约为0.2V；导通时，发射结电压UBE不大，硅管为0.6—0.7V，锗管为0.2—0.3V。襄迫眷希赢罗掀射诲门园清囊千嘛萧甸涅儒锐丛椎患豌风啦浩攒殿灶逛匹模拟第2单元三极管及放大电路基础模拟第2单元三极管及放大电路基础（1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置（2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置二、输出特性曲

8、线：当基极电流为固定值时，集电极电流与集电极电压之间的关系。iB>0，uBE>0，uCE≤uBE/V4321IB=0036912UCE20μA40μA60μA80μA100μA饱和区截止区放大区IC/mA咀模逾痴摧郝睹恋向忆临社阳徐嘘绕柞愉襄研署糙凑麻库甭扬如臻洱蛹屠模拟第2