FLASH 芯片种类与区别

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1、Flash芯片的种类与区别一、IICEEPROMIICEEPROM，采用的是IIC通信协议。IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)，一条串行时钟线(SCL)；串行半双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s；一种电可擦除可编程只读存储器，掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写的理论值为100万次，常用芯片型号有AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8，SOP8，TSSOP8等； 二、SPINorFlashSPINorFlash

2、，采用的是SPI通信协议。有4线(时钟，两个数据线，片选线)或者3线(时钟，两个数据线)通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的IICEEPROM的读写速度上要快很多。SPINorFlash具有NOR技术FlashMemory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。NorFlash在擦写次数上远远达不到II

3、CEEPROM，并且由于NOR技术FlashMemory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPINorFlash接口简单，使用的引脚少，易于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为FLASHROM，所以在市场的占用率非常高。常见到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型号都是SPINorFlash，其常见的封装多为SOP8，SOP16，WSON8，US0N8，QFN8、BGA24等。 三、ParallelNorFalsh(CF

4、IFlash)ParallelNorFalsh，也叫做并行NorFlash，采用的Parallel接口通信协议。拥有独立的数据线和地址总线，它同样继承了NOR技术FlashMemory的所有特点；由于采用了Parallel接口，ParallelNorFalsh相对于SPINorFlash,支持的容量更大，读写的速度更快，但是由于占用的地址线和数据线太多，在电路电子设计上会占用很多资源。ParallelNorFalsh读写时序类似于SRAM，只是写的次数较少，速度也慢，由于其读时序类似于SRAM，读地址也是线性结构，所以多用于不需要经常更改程序代码的数据存储。常见到的S29G

5、L128、MX29GL512、SST39VF020等型号都是ParallelNorFlash，其常见的封装多为TSSOP32、TSOP48、BGA64，PLCC32等。 四、ParallelNandFlashParallelNandFlash同样采用了Parallel接口通信协议，NandFlash在工艺制程方面分有三种类型：SLC、MLC、TLC。NandFlash技术FlashMemory具有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，以块为单位进行擦除操作；具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms；芯片尺寸小，引脚少，是位成本(b

6、itcost)最低的固态存储器;芯片包含有坏块，其数目取决于存储器密度。坏块不会影响有效块的性能，但设计者需要有一套的坏块管理策略!对比ParallelNorFalsh，NandFlash在擦除、读写方面，速度快，使用擦写次数更多，并且它强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更大的容量，更长的使用寿命。这使NandFlash很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。其主要用来数据存储，大部分的U盘都是使用NandFlash，当前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛，因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash使用厂家通过软件进行完善

7、。常见到的S34ML01G100、MX30LF2G18AC、MT29F4G08ABADA等型号都是ParallelNandFlash，其常见的封装多为TSOP48、BGA63、BGA107，BGA137等。五、SPINandFlashSPINandFlash，采用了SPINorFlash一样的SPI的通信协议，在读写的速度上没什么区别，但在存储结构上却采用了与ParallelNandFlash相同的结构，所以SPInand相对于SPInorFlash具有擦写的次数多，擦写速度快的优势，但是在使用以及使用过程中会同样