专用集成电路设计基础教程(来新泉 西电版)第2章 集成电路的基本制造工艺及版图设计

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1、2.1集成电路的基本制造工艺2.2集成电路的封装工艺2.3集成电路版图设计第2章集成电路的基本制造工艺及版图设计半个多世纪前的1947年贝尔实验室发明了晶体管;1949年Schockley发明了双极(Bipolar)晶体管;1962年仙童公司首家推出TTL(TransistorTransistorLogic)系列器件;1974年ECL(EmitterCoupledLogic)系列问世。双极系列速度快,但其缺点是功耗大,难以实现大规模集成。20世纪70年代初期,MOSFET(MetalOxideSem

2、iconductorFieldEffectTransistor)晶体管异军突起。现在,CMOS(ComplementaryMOS)已经无以替代地占据统治地位,对其不断的改进,包括采用硅栅、多层铜连线等,使得其速度和规模都已达到相当高度。然而功耗又重新 变成CMOS设计中的重大难题,人们在不断地寻求突破性进展。 目前,GaAs(GalliumArsenide,砷化镓)工艺仍然是使器件速度最快的半导体工艺,它使器件可以工作在几个吉赫兹的频率上,但功耗较大,单级门功耗可达几个毫瓦。其他还有SiGe(Silico

3、nGermanium,锗化硅)工艺,情况也基本相当。   除此之外,还有崭露头角的超导(Superconducting)工艺等。1.ASIC主要工艺及选择依据目前适用于ASIC的工艺主要有下述5种:   (1)CMOS工艺:属单极工艺,主要靠少数载流子工作,其特点是功耗低、集成度高。   (2)TTL/ECL工艺:属双极工艺,多子和少子均参与导电,其突出的优点是工作速度快,但是工艺相对复杂。(3)BiCMOS工艺:是一种同时兼容双极和CMOS的工艺,适用于工作速度和驱动能力要求较高的场合,例如模拟类型的A

4、SIC。   (4)GaAs工艺:通常用于微波和高频频段的器件制作,目前不如硅工艺那样成熟。   (5)BCD工艺:即Bipolar+CMOS+DMOS(高压MOS),一般在IC的控制部分中用CMOS。根据用户和设计的需要,一般从以下5个方面选择合适的工艺:   (1)集成度和功耗。如果对集成度和功耗有较高的要求,则CMOS工艺是最佳选择。   (2)速度(门传播延迟)。TTL和ECL工艺适合于对速度要求较高的ASIC。对速度要求特别高的微波应用场合,则必须选择GaAs工艺。   (3)驱动能力。几种工艺中

5、,TTL/ECL的驱动能力最强。   (4)成本造价。相对来说,CMOS工艺为首选工艺。对于模拟类型的ASIC,则需要选用相对复杂的BiCMOS工艺。   (5)有无IP库和设计继承性。2.深亚微米工艺特点通常将0.35μm以下的工艺称为深亚微米(DSM)工艺。目前,国际上0.18μm工艺已很成熟,0.13μm工艺也趋成熟。深亚微米工艺的特点包括:   (1)面积(Size)缩小。特征尺寸的减小使得芯片面积相应减小,集成度随之得到很大提高。例如,采用0.13μm工艺生产的ASIC,其芯片尺寸比采用0.18μ

6、m工艺的同类产品 小50%。(2)速度(Speed)提高。寄生电容的减小使得器件的速度进一步提高。目前采用0.13μm工艺已生产出主频超过1GHz的微处理器。   (3)功耗(PowerConsumption)降低。   深亚微米的互连线分布参数的影响随着集成度的提高也越来越突出,线延迟对电路的影响可能超过门延迟的影响,而成为其发展的主要制约因素,并极大地制约着前端设计的概念和过程。3.制造影响设计芯片的制造技术引导并制约着芯片的设计技术,其影响有以下几个方面:(1)扩展了设计技术空间。(2)提高了对设计技

7、术的要求。(3)促成了新的设计技术文化。2.1集成电路的基本制造工艺CMOS集成电路制作在一片圆形的硅薄片(Wafer)上。每个硅片含有多个独立芯片或称为管芯。量产时,一个硅片上的管芯通常相同。硅片上除管芯外,一般还有测试图形和工艺 检测图形,用来监测工艺参数,如图2-1所示。图2-1硅片上的管芯简化的IC制造过程如图2-2所示。   简化的IC制造工艺步骤如图2-3所示。   图2-3只列出了主要的工序,没有列出化学清洗及中测以后的工序,如裂片、压焊、封装等后工序。但我们对后工序要有足够的重视,因为后工序

8、所占的成本比例较大,对产品成品率的影响也较大。图2-2IC制造过程图2-3IC制造工艺步骤IC制造工艺主要有:   氧化:在单晶体上或外延层上生长一层二氧化硅的过程。   光刻:就是利用感光胶感光后的抗腐蚀特性,在硅片表面的掩膜层上刻制出所要求的图形。光刻版是记载有图形的一系列玻璃版或铬版等,不同版上的图形在工艺制造时有先后顺序 和相互制约关系,图形数据来源于我们设计的集成电路版图,其作用是控制工艺过程,以便有选

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