工业硅冶炼工艺简介

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1、....工业硅冶炼工艺简介时间:2001-12-280:00:00  来源:本站原创  浏览次数:3071发表评论所属分站:硅系所属产品:工业硅关键词:工业硅金属硅文章摘要:工业硅工业硅冶炼的…工业硅工业硅冶炼的原料   冶炼工业硅的原料主要有硅石、碳质还原剂。由于对工业硅中铝、钙、铁含量限制严格,对原料的要求也特别严格。   硅石中SiO2>99.0%,Al2O3<0.3%,Fe2O3<0.15%,CaO<0.2%,MgO<0.15%;粒度为15~80mm。    选择碳质还原剂的原则是:固定碳高,灰分低,化学活性好。通常是采用低灰分的石油焦或沥青焦作还原剂。但是,由于这两种焦炭电阻率

2、小,反应能力差,因而必须配用灰分低,电阻率大和反应能力强的木炭(或木块)代替部分石油焦。为使炉料烧结,还应配入部分低灰分烟煤。必须指出,过多或全部用木炭,不但会提高产品成本,而且还会使炉况紊乱,如因料面烧结差而引起刺火资料整理....塌料、难以形成高温反应区、炉底易开成SiC层、出铁困难等。   对几种碳质还原剂的要求如表1-1所示。   表1-1碳质还原剂成分粒度要求名称挥发分/%灰分/%固定碳/%粒度/mm木炭25~30〈265~753~100木块〈3〈150石油焦12~16〈0.582~860~13烟煤〈30<80~13   此外,碳质还原剂含水量要低且稳定,不能含其他杂物。冶炼原

3、理:   工业硅冶炼基本原理   碳还原氧化硅的反应,通常以下式表示:  SiO+2C=Si+2CO  这是硅冶炼主反应的表达式,也是一般计算和控制正常熔炼依据的基础。但就碳还原氧化硅的整个反应过程来说,却有着复杂的反应机构。  A·Γ·沃多普亚诺夫(Bодопьянов)等指出,碳还原氧化硅是通过气相实现的。二氧化硅在变为气上时,分解出一氧化资料整理....碳和分子氧,在惰性气氛中在非接触相互作用条件下,氧化硅和碳之间产生如下反应:  氧化硅的表面分解:  2SiO2=2SiO+O2  碳的表层与氧化硅分解产物相互作用:  SiO+2C=SiC+CO  O2+2C=2CO  иoсo库

4、勒科夫(Kyлков)认为游离碳的存在能保证由SiO2把硅还原成碳化硅,但在温度低于1400℃时反应速度不大。如果系统温度不超过1620±30℃,在碳量不过剩时,全部碳都可以转变为碳化硅。  ыoсo赫鲁谢夫(Xpущев)还指出,在碳与氧化硅的反应过程中,存在着如下明显的次序性:    其中,是按SiO2=SiO+反应形成的氧。这些过程中,SiO2的分解、SiC的形成和破坏是两个重要的中间过程,还原剂对氧对SiO的反应能力愈强,愈能加速下列反应:  O+C=CO  SiO+2C=SiC+CO  因而愈能促进SiO2的分解。  A.C.米库林斯基(Микулинский)提出了在熔炼硅资

5、料整理....的实际过程中电炉内不同区域的反应(见表1-2)。表1-2  炉内不同区域发生的反应区域反应上部↑CO↑SiO↓C↓SiO2SiO+2C=SiC+CO中部↑CO↑SiO↓SiO2↓SiCSiO+SiC=2Si+COSiO2+CO=SiO+COCO+C=2COSiO2+C=2SiC下部↑CO↑SiO↓SiO2↓SiC2SiO2=2SiO+O2SiC+O2=SiO+CO  Go拉思(Rath)等人认为,在硅的熔炼过程中形成中间产物SiO和SiC具有重要意义,并根据温度和反应过程的不同,把电炉内整个反应过程划分为如下几个区域:资料整理....  (1)低温反应区(1100℃以下)。

6、高温反应区的气体从料面逸出时,气体中残留的SiO与空气中的氧接触,发生如下反应:    在1100℃以下SiO不稳定,还可能发生如下过程:  2SiO=SiO2+Si(3-2)  但在还原剂活性表面上,优生发生下列反应:  SiO+2C=SiC+CO(3-3)  (2)生成SiC的区域(1100~1800℃)。反应3-3从1100℃开始已能较强烈地进行,到1537℃以后,能自发进行以下反应:  SiO2+3C=SiC+2CO(3-4)  (3)生成熔体硅的区域(1400℃以上)。在1410℃左右纯硅熔化(如能生成熔点更低的Fe-Si合金),超过纯硅熔点后,SiO与碳的反应强烈,生成硅: 

7、 SiO+C=Si+CO(3-5)  从1650℃起,下列反应向右进行:  SiO2+2C=Si+2CO(3-6)  (4)分解区域(1800℃以上)。在1827℃以上下列反应向右进行:  SiO2+2SiC=3Si+2CO(3-7)  在更高的温度下,由于SiC与SiO起反应而分解,生成硅和一氧化碳。  (5)资料整理....SiO蒸发区(2000℃以上)。从1750℃起,下列反应向右进行:SiO2+C=SiO+CO(3-8)  

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