微电子器件实验1模版medicinmos

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1、南京邮电大学课内实验报告课程名:任课教师:微电子器件设计专业:微电子学学号:姓名:2014/2015学年第2学期南京邮电大学电子科学与工程学院《微电子器件设计》课程实验第1次实验报告实验内容及基本要求:实验项目名称:NMOS晶体管的器件模拟实验类型:验证每组人数:1实验内容及要求:内容:采用MEDICI仿真软件验证NMOS晶体管电特性。要求:能够用MEDICI编制程序、会分析NMOS关键参数对电特性的影响。实验考核办法:实验结束要求写出实验报告。内容如下:1、问题的分析与解答;2、结果分析,并将结

2、果返回到器件的实际设计中;3、器件设计的进一步思考。实验结果:(附后)实验代码如下:TITLEAvant!MEDICIExample1-1.5MicronN-ChannelMOSFETCOMMENTSpecifyarectangularmeshMESHSMOOTH=1X.MESHWIDTH二3.0Hl=0.125Y.MESHN=1L=-0.025Y.MESHN二3L二0.Y.MESHDEPTH二1.0Hl二0.125Y.MESHDEPTH=1.0111=0.250COMMENTEliminates

3、omeunnecessarysubstratenodesELIMINCOLUMNSY.MIN=1.1COMMENTIncreasesource/drainoxidethicknessusingSPREADSPREADLEFTWIDTH二.625UP二1L0=3TH1CK=1ENC=2SPREADRIGHTWIDTH=.625UP=1L0=3THICK=.1ENC=2COMMENTUseSPREADagaintopreventsubstrategriddistortionSPREADLEFTWTDT

4、H=100UP二3LO二4Y.LO二0.125COMMENTSpecifyoxideandsiliconregionsREGIONSILICONREGIONOXIDEIY.MAX=3COMMENTElectrodedefinitionELECTRNAME=GateX.MTN=O.625X.MAX二2.375TOPELECTRNAME二SubstrateBOTTOMELECTRNAME二SourceX.MAX二0.51Y.MAX二3ELECTRNAME=DrainX.MIN=2.5IY.MAX=3C

5、OMMENTSpecifyimpurityprofilesandfixedchargePROFILEP-TYPEN.PEAK=3E15UNIFORMOUT.FTLE=MDEX1DSPROFILEP-TYPEN.PEAK=2E16Y.CIIAR=.25PROFILEN-TYPEN.PEAK=2E20Y.JUNC=34X.M1N=O.0WIDTH二.5+XY.RAT=.75PROFILEN-TYPEN.PEAK二2E20Y.JUNC=.34X.MIN二2.5WIDTH二.5+XY.RAT二.75INT

6、ERFACQF二1E10PLOT.2DGRIDTITLE二〃Example1-InitialGrid"FILLSCALECOMMENTRegridondopingREGRIDDOPINGLOGIGNORE二OXIDERATIO二2SMOOTH二1+TN.FTLE=MDEX1DSPLOT.2DGRIDTITLE=z,Examplc1-DopingRcgrid,/FILLSCALECOMMENTSpecifycontactparametersCONTACTNAME=GateN.POLYCOMMENTS

7、pecifyphysicalmodelstouseMODELSCONMOBFLDMOBSRFM0B2COMMENTSymbolicfactorization,solve,regridonpotcntieilSYMBCARRIERS二0METHOD1CCGDAMPEDSOLVEREGRIDPOTENIGNORE二OXIDERATIO二.2MAX二1SMOOTH二1+TN.FTLE=MDEX1DS+OUT.FILE二MDEX1MSPLOT.2DGRIDTlTLE=,zExample1-Potentia

8、lRegrid"FILLSCALECOMMENTSolveusingtherefinedgrid,savesolutionforlateruseSYMBCARRIERS二0SOLVEOUT.FTLE=MDEX1SCOMMENTImpurityprofileplotsPLOT.IDDOPINGX.START=.25X.END二.25Y.START=OY.END二2+Y.LOGPOINTSBOT=1E15TOP=1E21COLOR=2+TITLE二〃Example1一SourceImp

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