城市轨道交通车辆电气运行与维修项目3电源设备

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时间:2019-10-13

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1、任务1牵引逆变器(VVVF)设备任务目标在该任务中,主要掌握逆变器的工作原理、逆变器设备的结构工作过程,并掌握这些设备常出现的故障现象及处理方法。项目3电源设备1任务重点在高压设备中,逆变器是列车运行最为关键的设备,因此逆变工作原理就是本任务中应该重点掌握的知识。知识准备高等数学基础、电子电路基础。知识描述逆变器是动力电源和辅助电源的主要部件。其主要功能是将DC1500直流电源变换成三相交流电源,以供牵引电机用电和其他用电。在变换过程中,逆变调整三相交流电的频率和电压,从而使牵引电机变换转动速度,达到控制列车速度的作用。这里首先了解绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。2(1

2、)绝缘栅双极型晶体管20世纪80年代中期出现了将它们的通、断机制相结合的新一代半导体电力开关器件——绝缘栅极双极型晶体管(InsulatedGateBipo-LarTransistor,IGBT),如图3.1所示。它是一种复合器件,其输入控制部分为MOSFET,输出级为双级结型三极晶体管;因此兼有MOSFET和电力晶体管的优点,即高输入阻抗,电压控制,驱动功率小,开关速度快,工作频率可达到10~40kHz(比电力三极管高),饱和压降低(比MOSFET小得多,与电力三极管相当),电压、电流容量较大,安全工作区域宽。目前2500~3000V、800~1800A的IGBT器件

3、已有产品,可供几千千伏安以下的高频电力电子装置选用。3图3.1绝缘栅双极型晶体管IGBT也有3个电极:栅极G、发射极E和集电极C。输入部分是一个MOSFET管。1)MOS场效应管结构MOS场效应管也被称为MOSFET,即MetalOxideSemiconductorFieldEffect场效应管,主要用于控制电流大小的导体元件。它分为两大类:即绝缘栅型和结型。4绝缘栅型场效应管可分为增强型和耗尽型两种:增强型→N沟道、P沟道;耗尽型→N沟道、P沟道。N沟道增强型MOS管:图3.2为N沟道增强型MOS管,其结构有4个电极:漏极D、源极S、栅极G和衬底B。元件材料由半导体P

4、型和N型材料组成。5图3.2N沟道增强型MOS管P沟道增强型MOS管如图3.3所示。6图3.3P沟道增强型MOS管73.4),从而形成电流,使源极和漏极之间导通。我们也可以想象为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。2)MOS场效应管工作原理对于场效应管(见图3.4),在栅极无电压时,由分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处于截止状态。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两

5、个N沟道之间的P型半导体中(见图因此,栅级电压越高,源级与漏级之间的电流也越大。8图3.4MOS场效应管9供给,使得晶体管截止。3)IGBT组合元件特性IGBT的等效电路如图3.5所示。由图可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的10图3.5IGBT等效电路图由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:A.IGBT栅极与发射极之间的电压;B.IGBT集电极与发射极之间的电压;C.流过I

6、GBT集电极2发射极的电流;D.IGBT的结温。如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极2发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极2发射极之间的耐压,流过IG2BT集电极2发射极的电流超过集电极2发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。11的等效电阻RDS)。输出部分为一个PNP三极管T1,此外还有一个内部寄生的三极管T2(NPN管),在NPN晶体管T2的基极与发射极之间有一个体区电阻Rbr。图3.6(b)中Rd

7、r表示MOSFET的等效调制电阻(即漏极2源极之间12①静态特性。1314图3.6IGBT的静态特性图15②动态特性。16图3.7IGBT的开通与关断过程17开通过程中,在td,tr时间内,栅2射极间电容在外施正电压作用下充电,且按指数规律上升,在tfu1,tfu2这一时间段内MOSFET开通,流过对GTR的驱动电流,栅2射极电压基本维持IGBT完全导通后驱动过程结束。栅2射极电压再次按指数规律上升到外施栅极电压值。IGBT关断时,在外施栅极反向电压作用下,MOSFET输入电容放电,内部PNP晶体管仍然导通,在最初阶段里,关断的延迟时间t

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