硅材料试题修正版

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1、015曇耳庚第一曇期芜伏专地確材蚪检测期耒模桃试龜:1一般X射线大致具有的性质感光作用,荧光作用,电离作用,穿透能力强,X射线的折射率近似＜1晶体中都呈螺旋纹状分布。茁勺水（江水，河水，湖水）称为天然水O、导电类型测量有两种温差电动势法,整流效应法。2导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。1试，C的大小取决于四探针的排列方式和针距。i子的寿命匚，就是反映复合强弱的参数。J测量非平衡半导体晶体载流子寿命表的方法，一般可分为两大类，瞬态法（直接法）,稳态法（间接法）t一般不受光照影响，而慢速腐蚀时光照影响比较大。体缺陷可以分为宏

2、观缺陷和微观缺陷,以及点阵应变和表而机械损伤。纹上没有微缺陷蚀坑，宏观上看不见小白点,腐蚀面为镜面，这是漩涡花纹和电阻率条纹最重要的区竟光学系统,照明系统,机械系统儿部分构成。导电类型是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，n7型两大类。则量的具体方法冷热探笔法,三探针法,四探针法,上，选取与宏观晶体有同样对称性的平行六面休来作为晶胞，它构成体的最小单位。郎近的两个平行晶面间的距离称为晶面间距,晶面指数最低的晶面总是具有最左的晶面间距。种高速运动的带电粒子与一块金属物质相撞时,都会产生X射线。隹单晶中的氧，碳含量最常用的方法红外吸收法

3、。退法是目前应用最广的方法，它有高频光电导和直流光电导之分。E.N型C.PN型D.以上皆不是勿向硅器件成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性（D）B.线缺陷D.微缺陷左结果直观，操作—，误差—。（A）交大B.复杂较大交小D.复杂较小去检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，笫一次区熔时，爷留挥发时间—左右。（D）1E・5miniD.10min晉子交换树脂可供交换的—大为减少。（C）B.Na<3・日+和0日一D.Ca页不是天然水的三大朵质？（B）员B・挥发物质気D.溶解物质可法的误差可以控制在—范围内，准确度高。（B）B.土15’C.土207D.土3

4、07F氧含量头部和尾部相比—o（A）B.相同C.较低D.无法判断C松香D塑料长方式在人工制备中用的比较少的是（A）oB液相生长C气相生长常称为工业硅或冶金级硅含量在（D）以上。C95%D97%多晶硅氧浓度越，钝化效果越，少数载流子寿命增加越•（A）B低，好，少C低，弟，多D高，好，多产中广泛用的是—C—OBream洗C超声波清洗错误的是（A）o匸长的热系统，使热场的径向温度梯度增大b•调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快扌i口利用结晶潜热使界面趋于平坦C.调整晶体或者堆竭的转速，调整高温液流的增减D.增人堆竭内名分为平P型和N型两大类，P型单品多数载流子是—,N

5、型单品多数载流子是—o子B电子电子C电子空穴D空穴空穴答案A退法是用来测量寿命的，目前应用最广范的方法有_C_和—o低频光电导B直流光电导分流光电导直流光电导D低频光电导分流光电导答案C腐蚀中，没有外加电源则称为,有外加电源则称为o虫电化学侵蚀B电解腐蚀电化学腐蚀巾电解腐蚀D电解腐蚀电化学腐蚀答案C度测试时我国国家标准中规定我位错密度在l（f4个/cnT2以下者，采用_的视场面积。在10F个/c耳积。Azlmm9RCzlmm91mm9圭太阳电池的实验室最高转换效率为OB24.7%C15%D20%答案B时的晶格常数a为5.43AO请计算出每立方厘米体积屮的硅原子数及常温下

6、的硅原子密度B5・33g/cnf3C4.21g/cm^3D5.21g/cm^3答案A圭的固态和液态的密度分别—om^35.llg/cm^3B3.33g/cm33.57g/cm^3nf32.53g/cm^3D1.Ilg/cnf3l・37g/cn/3答案C朋氧复合体缺陷无关的是（)答案：DB、硼C、温度D、湿度F单晶硅片的一般形状（)答案：A三角形C.圆形D.梯形务晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状（）aB、形状太凸C、过于平整D、无变化化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。0C.500D.600炒是最宽熔区

7、的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）B、不能C、不确定D、有时可以，有时不可以）改变驱动力场，借以控制生长系统屮的成核率，这是晶体生长工艺屮经常使用的方法。B、磁场C、重力场D、电场匸长的较快，内土U■埸中朵质量变少，品体的电阻率A。B.下降C.不变D.不确定舌硅薄膜方而的主要工艺方法是—A_。B.液-固C.固-固D.汽-液P氧浓度常舟的方法是—D_。号化法B.熔化分析法C.离子质谱法D.红外光谱分析法合理的生长系统时，其驱动力场满足的要求中。晶体-流体界面附近B。A.负相变驱动丈力力，Ag<0C