残留溶剂测定法

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时间:2019-11-28

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1、残留溶剂测定法 药品中的残留溶剂系指在原料药或辅料的生产中,以及在制剂制备过程中使用的,但在工艺过程中未能完全去除的有机溶剂。药品中常见的残留溶剂及限度见附表1,除另有规定外,第一,第二,第三类溶剂的残留限度应符合附表1中的规定;对其他溶剂,应根据生产工艺的特点,制定相应的限度,使其符合产品规范,药品生产质量管理规范(GMP)或其他基本的质量要求。 本法照气相色谱法(通则0521)测定。 色谱柱 1、毛细管柱 除另有规定外,极性相近的同类色谱柱之间可以互换使用。 (1)非极性色谱柱固定液为100%

2、的二甲基聚硅氧烷的毛细管柱。(2)极性色谱柱固定液为聚乙二醇(PEG-20M)的毛细管柱。 (3)中极性色谱柱固定液为(35%)二苯基-(65%)甲基聚硅氧烷、(50%)二苯基-(50%)二甲基聚硅氧烷、(35%)二苯基-(65%)二甲基聚硅氧烷、(14%)氰丙基苯基-(86%)二甲基聚硅氧烷、(6%)氰丙基苯基-(94%)二甲基聚硅氧烷的毛细管柱等。 (4)弱极性色谱柱固定液为(5%)苯基-(95%)甲基聚硅氧烷、(5%)二苯基-(95%)二甲基聚硅氧烷共聚物的毛细管柱等。 2、填充柱以直径为0

3、.18~0.25mm的二乙烯苯-乙基乙烯苯型高分子多孔小球或其他适宜的填料作为固定相。 系统适用性试验 (1)用待测物的色谱峰计算,毛细管色谱柱的理论板数一般不低于5000,;填充柱的理论板数一般不低于1000。 (2)色谱图中,待测物色谱峰与其相邻色谱峰的分离度应大于1.5。 (3)以内标法测定时,对作品溶液连续进样5次,所得待测物与内标物峰面积之比的相对标准偏差(RSD)应不大于5%;若以外标法测定,所得待测物峰面积的RSD应不大于10%。 供试品溶液的制备 1、顶空进样 除另有规定外,精密称

4、取供试品0.1~1g;通常以水为溶剂;对于非水溶性药物,可采用N,N-二甲基甲酰胺,二甲基亚砜或其他适宜溶剂;根据供试品和待测溶剂的溶解度,选择适宜的溶剂且应不干扰待测溶剂的测定。根据各品种项下残留溶剂的限度规定配制供试品溶液,其浓度应满足系统定量测定的需要。 2、溶液直接进样 精密称取供试品适量,用水或合适的有机溶剂使溶解;根据各品种项下残留溶剂的限度规定配制供试品溶液,其浓度应满足系统定量测定的需要。 对照品溶液的制备 精密称取各品种项下规定检查的有机溶剂适量,采用与制备供试品溶液相同的方法和

5、溶剂制备对照品溶液;如用水作溶剂,应先将待测有机溶剂溶解在50%二甲基亚砜或N,N-二甲基甲酰胺溶液中,再用水逐步稀释。若为限度检查,根据残留溶剂的限度规定确定对照品溶液的浓度;若为定量测定,为保证定量结果的准确性,应根据供试品中残留溶剂的实际残留量确定对照品溶液的浓度;通常对照品溶液色谱峰面积不宜超过供试品溶液中对应的残留溶剂色谱峰面积的2倍。必要时,应重新调整供试品溶液或对照品溶液的浓度。 测定法 第一法(毛细管柱顶空进样等温法) 当需要检查有机溶剂的数量不多,且极性差异较小时,可采用此法。 

6、色谱条件柱温一般为40~100℃;常以氮气为载气,流速为每分钟1.0~2.0ml;以水为溶剂时顶空瓶平衡温度为70~85℃,顶空瓶平衡时间为30~60分钟;进样口温度为200℃;如采用火焰离子化检测器(FID),温度为250℃。 测定法取对照品溶液和供试品溶液,分别连续进样不少于2次,测定待测峰的峰面积。 对色谱图中未知有机溶剂的鉴别,可参考附表2进行初筛。 第二法(毛细管柱顶空进样系统程序升温法) 当需要检查的有机溶剂数量较多,且极性差异较大时,可采用此法。 色谱条件柱温一般在40℃维持8分钟,

7、再以每分钟8℃的升温速率升至120℃,维持10分钟;以氮气为载气,流速为每分钟2.0ml;以水为溶剂时顶空瓶平衡温度为70~85℃,顶空平衡时间为30~60分钟;进样口温度为200℃;如采用FID检测器,进样口温度为250℃。 具体到某个品种的残留溶剂检查时,可根据该品种项下残留溶剂的组成调整升温程序。 测定法取对照品溶液和供试品溶液,分别连续进样不少于2次,测定待测峰的峰面积。 对色谱图中未知有机溶剂的鉴别,可参考附表3进行初筛。 第三法(溶液直接进样法) 可采用填充柱,亦可采用适宜极性的毛细管

8、柱。 测定法取对照品溶液和供试品溶液,分别连续进样2~3次,测定待测峰的峰面积。 计算法(1)限度检查除另有规定外,按各品种项下规定的供试品溶液浓度测定。以内标法测定时,供试品溶液所得被测溶剂峰面积与内标峰面积之比不得大于对作品溶液的相应比值。以外标法测定时,供试品溶液所得被测溶剂峰面积不得大于对作品溶液的相应峰面积。 (2)定量测定按内标法或外标法计算各残留溶剂的量。 【附注】 (1)除另有规定外,顶空条件的选择: ①应根据供试品中残留溶剂的沸点选择顶空平衡温度。对沸点较高的残留

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