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1、eMMC存储器基本原理简介eMMC(EmbeddedMultiMediaCard)嵌入式多媒体卡MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格主要应用于智能手机和移动嵌入式产品什么是eMMC1、eMMC拥有存储以及取代NorFlash的开机功能，开机速度比传统的MCP要快几倍2、eMMC可以很好的解决对MLC和TLC的管理，ECC除错机制、区块管理、平均抹写储存区块技术、指令管理、低功耗管理等。3、厂商不用再为不同的NANDFlash重新设计规格、不用处理NANDFlash相容性和管理问题、缩短新品上市周期、研发成本eMMC的优点eMMC结构由一个嵌入式存储解
2、决方案组成：标准MMC封装接口主控制器(控制芯片)快闪存储器设备(NANDFlash芯片)这三部分封装在一个JEDEC(固态技术协会)标准的BGA上。接口速度高达每秒52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8v或者是3.3v。eMMC的结构看图说话～CoreRegulator核心稳压器eMMC的结构MemoryNANDFlash存储介质控制信号数据总线MMCI/OBlockNANDI/OBlockCoreRegulator(requiredfor3.3v)CoreLogicBlockVCCVCCQRESETVDDiCLKCMD
3、DAT[7:0]Creg1.I/O0~I/O7：用于输入地址/数据/命令,输出数据，有可能16位，但高8位只用于数据2.CLE:CommandLatchEnable,命令锁存使能,在输入命令之前,要先在模式寄存器中,设置CLE使能3.ALE:AddressLatchEnable,地址锁存使能,在输入地址之前,要先在模式寄存器中,设置ALE使能4.CE#:ChipEnable,芯片使能,在操作NandFlash之前,要先选中此芯片,才能操作5.RE#:ReadEnable,读使能,在读取数据之前,要先使CE#有效。6.WE#:WriteEnable,写使
4、能,在写取数据之前,要先使WE#有效。7.WP#:WriteProtect,写保护8.R/B#:Ready/BusyOutput,就绪/忙,主要用于在发送完编程/擦除命令后,检测这些操作是否完成:忙,表示编程/擦除操作仍在进行中,就绪表示操作完成.9.Vcc:Power,电源10.Vss:Ground,接地11.N.C:Non-Connection,未定义,未连接。[小常识]在数据手册中,你常会看到,对于一个引脚定义,有些字母上面带一横杠的,那是说明此引脚/信号是低电平有效,比如你上面看到的RE头上有个横线,就是说明,此RE是低电平有效,此外,为了书写
5、方便,在字母后面加“#”,也是表示低电平有效，比如上面写的CE#；如果字母头上啥都没有，就是默认的高电平有效，比如上面的CLE，就是高电平有效。NandFlash引脚(Pin)的说明1、SLC和MLCSLC每个存储单元只存储一个Bit数据MLC每个存储单元可以存储多个Bit数据根据电荷多少设定阀值,比如4V，可以用1234V分别表示数值2、如何识别SLC和MLC通过读取chipID，chipID最少4个字节，可以更多其中第3个字节中的信息如下Bit[1:0]内部芯片数1、2、4、8Bit[3:2]电平种类数2、4、8、16Bit[5:4]可同时编程页1
6、、2、4、8Bit[6]多芯片交替编程是否支持0：不支持Bit[7]高速缓存编程(cacheProgram)是否支持0：不支持Nand的存储单元NandFlash的核心部件是FloatingGateFET(浮置栅场效应管)NANDFlash的擦写均是基于隧道效应：电子从源极穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极充电(写数据‘0’)或放电(擦数据‘1’)，NandFlash擦除以block为单位，写数据以page为单位。清除Flash的数据是写1，这与硬盘正好相反。NorFlash则反过来，电流从浮置栅极到源极，称为热电子注入NAND存储单元硬件原
7、理1、NAND的闪存单元比NOR要小因为NOR的每个单元都需要独立的金属触点。NAND的与硬盘驱动器类似，基于扇区(页Page),也存在坏的扇区，需要ECC纠错2、因为单元小，所以NAND的写(编程)和擦除的速率快；而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写操作的能力，NAND的则比较慢。Nand和Nor物理上的区别块(Block)是擦除操作的最小单位(相当于硬盘的扇区)一个nandflash由很多个块（Block）组成，块的大小一般是128KB，256KB，512KB页(Page)是编程操作的最小单位每个块里面又包含了很多页（page）。页的大小25
8、6B、512B、2KB、4KB每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域（sparearea）/
