layout绘制.ppt

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1、LAYOUT绘制0.13um工艺版图小结结构一.画版图前基本要求二.版图的绘制三.简单技巧和注意事项四.小结前期要求对系统和软件的熟悉在Terminal输入命令进入自己的目录,键入icfb&打开软件。选择File—NewCellview,LibraryName项选择库名,Tool项选择Virtuoso,ViewName自动变成layout,CellName输入所画版图名,点击OK就建立了新的版图单元。对编辑工具及快捷键要熟练灵活运用,ruler使用要细心。layout完成后还必须进行DRC和LVS验证。前期要求熟悉LAYER和R

2、ULE画layout前必须熟悉版图用到了哪些图层和这些layer的Rule,layout必须遵循这些rule并通过了DRC和LVS才能供他人使用。在满足工艺规则的条件下,追求layout最小面积。Layout绘制布局布线layout第一步是分析电路结构,各晶体管端口的互联方式。可以在纸上画出草图,脑中对所需要的layout要有一个宏观布局。布局布线是layout的第一步也是最重要的一步,它在很大程度上决定了版图能否绘制成功和所能达到的最小面积。这方面经验占很大比重,初学者在思考时应多考虑几种方案,多尝试对比。Layout绘制Bo

3、undary以坐标轴原点为起点,向X,Y的正方向延伸画出prBoundary,TB,SP,SN及上下靠近边界的TO和A1层的大致框架。prboundary的高度是确定的,在横向方向上可以向X正轴拉伸,其沿X轴长度为pitch长度的整数倍。细节上可以参照RULE再作修改。boundary的临近layer都必须满足RULE的1/2。以0.13um工艺为例,TB,SN,SP有统一的高度(在边界上,以便和其他cell相拼),并对PRboundary有统一的extension,如图下所示:Layout绘制其中,紫色为PRboundary,

4、黄色为TB,红色为SP,黑色为SN。Extension的具体数值为:a=0.03µmb=0.31µmc=0.11µmd=0.11µme=0.03µmf=0.31µmh=1.91µmi=2.38µmj=1.47µmk=0.31µmLayout绘制内部结构1.先画TO,GT,A1层,在需要画W1的地方预留1个孔的空间。2.对pmos,nmos源和漏能等效的尽量通过调整位置和形状等效到一起。3.GT和A1连线及TO形状在规则条件下要灵活改变,上下空间要最大化利用。(后面2条很难做到完美)PIN放置1.pin的放置点需预留较大空间,但其

5、所在金属层尽量不要影响横向尺寸,可通过A1引出到空间富裕处。2.相距较近的pin的“+”符号尽量上下错开。3.pin”+”符号所在位置应在横向和纵向距坐标轴都为N/2个pitch长度(N为奇数)。可用改变步长等方法寻找定位。Layout绘制细节和简单技巧可建立一个名为boundary的框架Cell,每次只需调取即可。及时保存,对于不确定要敢于尝试,layout绘制过程中可多次做DRC。W1层最后完成,可细微调整,多打孔。经常对前一段时间画的版图做一些对比总结,会带来很多经验启发。小结学习绘制版图主要是多尝试,多练习,多对比总结。

6、这份PPT是基于前段时间学习0.13um基本cell版图绘制所做,希望对大家有所帮助。不足之处请大家多指教,多相互交流。

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