IC工艺原理_制造第8章.ppt

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1、第四单元：薄膜技术第8章：薄膜物理淀积技术第9章：晶体外延生长技术第10章：薄膜化学汽相淀积Test/SortImplantDiffusionEtchPolishPhotoCompletedwaferLocationswherethinfilmsaredepositedUnpatternedwaferWaferstartThinFilmsWaferfabrication(front-end)第八章：薄膜物理淀积技术MetalLayersinaChipMultilevelMetallizationonaULSIWaferPassivationlayerBondingpadme

2、talp+SiliconsubstrateViaILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3M-4p-Epitaxiallayerp+ILD-6LIoxideSTIn-wellp-wellILD-1Polygaten+p+p+n+n+LImetalCopperMetallization9.1.薄膜沉积的特点：pages296微电子技术中的薄膜种类繁多，一般都不能（也不需要）形成与衬底晶格匹配的晶体。形成非晶或多晶薄膜即可（但要求其界面的应力足够小）。其生长的过程大致为：晶核形成、晶粒成长、晶粒聚结、逢道填补、成积膜成长。晶粒自由能对成核的影响：临界半径—表面能的

3、约束界面亲和能对成核的影响：浸润湿夹角—界面键的形成晶粒间界的形成与多晶膜的生长：杂质的影响：非晶膜的形成：（Si非晶膜、多晶膜和外延层的形成）9.2.几种物理沉积（PVD）方法1）热阻加热蒸发镀膜常规真空系统：（Ch12）油扩散泵原理:(P.245)无油真空系统：分子泵低温吸附泵溅射离子泵（Ti升华泵）真空的测量9.4,热偶规电离规坩埚:与蒸发材料的粘润性和互溶度钨、刚玉等P302~303优点与缺点：系统简单、可蒸镀各种材料、易做厚膜纯度不够高、镀膜速率不易控制、均匀性较差（星型夹具）平衡蒸气压：合金与化合物蒸发：P305无分解蒸发、分解蒸发；不同蒸气压的蒸发膜厚的实时测量

4、：石英振荡法（原理？）精度可达~0.01ÅSimpleEvaporatorRoughingpumpHi-VacvalveHi-VacpumpProcesschamber(belljar)CrucibleEvaporatingmetalWafercarrier2）电子束蒸发：纯度高镀膜速率易控制诱生软x射线：辐照损伤问题3）溅射沉积(10.5)(12.6~12.8)直流溅射RFSputteringSystemArgonGasflowcontrollerTurbopumpRFgeneratorMatchingnetworkMicrocontrolleroperatorinterf

5、aceExhaustChuckElectrodeTargetSubstrateBlockingcapacitorRoughingpumpPressurecontrollerGaspanel射频溅射：解决绝缘靶材料上的电荷堆积问题和合金材料的组分问题等离子体溅射：低压（电压、气压）磁控溅射：提高离化率、分离非离化离子优点：？工艺：（组分的控制，界面态）台阶覆盖：（301，12.10MorphologyandStepCoverage）(台阶的应用)9.3.PVD的主要应用PVD技术主要用于金属膜的制备（也可以用于非金属薄膜材料的生长）9.3.1主要金属材料连线材料（铝Al、铝铜合

6、金、铜Cu）阻挡层金属（W、Ti、Mo、Ta等）硅化物（Pt、W、Ti等）金属填充物（W等）其它*真空度对生长膜质量的影响**材料纯度对生长膜质量的影响***技术方法对生长膜质量的影响SiliconandSelectWaferFabMetals(at20°C)9.4.器件中的金属膜在器件中的作用：—欧姆电极、连线、肖特基接触9.4.1.欧姆接触与肖特基接触（半导体物理）1、金属功函数与半导体亲合能对金—半接触时的界面空间电荷区的影响阻挡层和反阻挡层的形成2、界面态的影响？费米能级钉扎3、隧穿效应4、与半导体载流子浓度的关系5、实现低欧姆接触的途径高掺杂（正面）粗表面（背面）合

7、金（双面）：合金层和扩散层表面态的形成6、实现肖特基接触的途径表面态的处理——金属的选择表面的处理镀膜温度和速率表面费米能级的工艺调制9.4.2.Al在硅器件中的特点Al是硅平面器件中的三种基本材料之一主要做欧姆电极和连线，也能与p型硅形成欧姆接触。欧姆电极和连线材料的要求：电阻率低、稳定抗氧化、与基质材料的粘接性好、能与各型硅材料形成良好的欧姆接触、易于光刻、易于键合1、金属（Al）的电阻率、粘附性和可光刻性2、几个物理问题1）合金的形成相图固溶度金属化合金温度的选择557°C合金处理也将改变界面态2