电力电子总结范文.doc

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1、电力电子总结范文  电力电子总结绪论  1、电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。  2、电力变换通常可以分为四大类即交流变直流、直流变交流、直流变直流和交流变交流。  第一章  1、电力电子器件的概念电力电子器件是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。  2、电力电子器件的特征?电力电子器件所能处理电功率的大小一般都大于处理信息的电子器件。  ?电力电子器件一般都工作在开关状态。  ?电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。  ④尽管工作在开关状态,

2、但是电力电子器件自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件。  3、电力电子器件的损耗通态损耗是器件功率损耗的主要成因。  器件开关频率较高时,开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。  4、电力电子系统由控制电路、驱动电路、保护电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。  5、按照器件能够被控制的程度,分为以下三类半空型器件、全控器件、不可控器件。  按照驱动电路信号的性质,分为两类电流驱动型和电压驱动型。  6、电力二极管由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成。  从外形上看,主要有螺栓型和平板型

3、两种封装。  7、电力二极管的基本特性  8、电力电子器件的主要参数  9、PN结的反向击穿雪崩击穿和齐纳击穿,均可能导致热击穿。  10、PN结的电容效应PN结的电荷量随外加电压而变化,呈现电容效应,称为结电容CJ,又称为微分电容。  结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD。  电容影响PN结的工作频率,尤其是高速的开关状态。  11、  12、晶闸管的工作原理  13、晶闸管在以下几种情况下也可能被触发阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应;阳极电压上升率du/dt过高;结温

4、较高;光直接照射硅片,即光触发。  只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。  14、晶闸管正常工作时的特性总结如下⑴承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。  ⑵承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。  ⑶晶闸管一旦导通,门极就失去控制用。  ⑷要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。  15、晶闸管的主要参数使用注意通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。  选用时,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值

5、电压的2~3倍。  16、晶闸管的基本特性  17、晶闸管的派生器件  18、门极可关断晶闸管的工作原理  19、门极可关断晶闸管的主要参数  20、GTO与普通晶闸管不同的是  21、GTR(电力晶体管)的特点  22、GTR的工作原理  23、GTR的主要参数  24、GTR的二次击穿现象与安全工作区  25、电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型。  26、MOSFET的特点——用栅极电压来控制漏极电流◆驱动电路简单,需要的驱动功率小。  ◆开关速度快,工作频率高。  ◆热稳定性优于GTR。  ◆电

6、流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。  27、电力MOSFET的种类◆按导电沟道可分为P沟道和N沟道。  ◆耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。  ◆增强型——对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电通道。  ◆电力MOSFET主要是N沟道增强型。  28、GTR和GTO的特点——双极型,电流驱动,有电导调制效应,通流能力很强,开关速度较低,所需驱动功率大,驱动电路复杂。  MOSFET的优点——单极型,电压驱动,开关速度快,输入阻抗高,热稳

7、定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单。  绝缘栅双极晶体管GTR和MOSFET复合,结合二者的优点。  29、绝缘栅双极晶体管的结构  30、实际应用电路◆高压集成电路(HighVoltageIC——HVIC)一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。  ◆智能功率集成电路(SmartPowerIC——SPIC)一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。  ◆智能功率模块(IntelligentPowerModule——IPM)则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成,

8、也称智能IGBT(IntelligentIGBT)。  31、晶闸管(串并联)、GTO波形图、电路分析第一章练习题  1、使晶闸管导通的条件是什么?答使晶闸管导通的条件是晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。  或uAK>0且uGK>0。  2.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。  要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的

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