光刻机的技术原理和技术发展趋势.doc

《光刻机的技术原理和技术发展趋势.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、光刻机的技术原理和发展趋势摘要:本文首先简要介绍了光刻技术的基本原理。现代科技瞬息万变，传统的光刻技术己经无法满足集成电路生产的要求。本文又介绍了提高光刻机性能的关键技术和下一代光刻技术的研究进展情况。关键字：光刻；原理；提高性能；浸没式光刻；下一代光刻引言：光刻工艺直接决定了大规模集成电路的特征尺寸，是大规模集成电路制造的关键匸艺。作为光刻工艺中最重要设备之一，光刻机一次次革命性的突破，使大模集成电路制造技术飞速向询发展°因此，了解光刻技术的基本原理，了解提高光刻机性能的关键技术以及了解下一代光刻技术的发展情况是十分重要的。本文就以上儿点进

2、行了简要的介绍。光刻技术的基本原理：光刻工艺通过曝光的方法将掩模上的图形转移到涂覆于硅片农面的光刻胶上，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到硅片上。1、涂胶要制备光刻图形，首先就得在芯片表面制备i层均匀的光刻胶。截止至2000年5月23口，已经申请的涂胶方而的美国专利就达118项。在涂胶之前，对芯片表而进行淸洗和干燥是必不可少的°目前涂胶的主要方法有：甩胶、喷胶和气相沉积，但应用最广泛的还是电胶。甩胶是利用芯片的高速旋转，将多余的胶甩出去，血在芯片上留下一层均匀的胶层，通常这种方法可以获得优于±2%的均匀性（边缘除外）。胶层的厚度山下式决定：

3、1〜pt式中：Ft为胶层厚度，3为角速度，q为平衡吋的粘度，卩为胶的密度，t为时间。山该式可见，胶层厚度和转速、时间、胶的特性都有关系，此外旋转吋产生的气流也会有一定的影响。甩胶的主要缺陷有：气泡、彗星（胶层上存在的一些颗粒）、条纹、边缘效应等，其中边缘效应对于小片和不规则片尤为明显。2、紫外光刻目前占光刻技术主导地位的仍然是紫外光刻。按波长可分为紫外、深紫外和极紫外光刻。按曝光方式口〔分为接触/接近式光刻和投影式光刻。接触/接近式光刻通常采用汞灯产生的365〜436側的紫外波段，而投影式光刻通常采用准分子激光器产生的深紫外（248血）和极紫

4、外光（193nm和157nm）。2.1接触/接近式光刻接触/接近式光刻是发展最早，也是最常见的曝光方式。它采用1：1方式复印掩膜版上的图形，这类光刻机结构简单,价格便宜,发展也较成熟，缺点是分辨率不高,通常最高可达linn左右。此外山于掩膜版直接和光刻胶接触，会造成掩膜版的沾污。接触％接近式光刻机的分辨率山下式决定：R=号J入（G+今）式中：入为曝光的波长，Ft为光刻胶的厚度，G为曝光时的接近距离。目前常用的光源为汞％氤灯所产生的紫外光，常用的三个波段为436nm（g线）、405nm（h线）和365nrn（i线）0山下图可看岀这三个波段的强度

5、最高，II紫外光成本低，比较容易获得，是接触/接近式洸刻的主要光源。图2.2投影式光刻投影式光刻机在现代光刻中占主要地位，据调查显示，投影式光刻机约占整个光刻设备市场份额的70%以上。其主耍优点是分辨率高，不沾污掩膜版，重复性好，但结构复杂，价格昂贵。投影式光刻机又分为扫描式和步进式，扫描式采用1：1光学镜头，山于扫描投影分辨率不高，约lum左右，加之1*掩膜制备困难，因此80年代中期后就逐步被步进投影光刻机所収代。步进投影光刻机采用缩小投影镜头，一般有4：1.5,1.10:1等。3、粒子束光刻山于光学光刻受分辨率限制，要得到分辨率更高的图形

6、只能求助于粒子束光刻，因此有人预言21世纪将是粒子束光刻的世纪。滋见的粒子束光刻主要有X射线、电子束和离子束光刻。3.IX射线光刻X射线光刻技术是目前国外研究比较热门的一种粒子束光刻技术，同光学曝光相比，X射线有看更短的波长，因此有可能获得分辨率更高的图形，目前被认为是lOOnm线条以下半导体器件制造的主要工具。它具有以下优点：（1）景深容易控制；（2）视场大（可达50mm*50mm）；（3）:射线对光刻工艺中的尘埃不敏感，【大I此成品率较高。山于X射线的波长很短（通常为0.r30nm）,曝光时的衍射■和散射几乎可以忽略不计，因此可得到较高分

7、辨率的图形。X射线穿透力很强，目前多数的光学系统不能对它进行反射或折射，因此多采用接近式曝光。3.2电子束光刻电子束曝光技术是迄今为止分辨率最高的一种曝光手段。电子束光刻的优点是（1）分辨率高；（2）不需要掩膜；（3）不受像场尺寸限制；（4）真空内曝光，无污染；（5）山计算机控制，自动化程度高。目前已研制出多种电子束纳米曝光技术，如扫描透射电子显微镜（STEM）、打描隧道显微镜（STM）、圆形束、成形束、投影曝光、微电子光柱等。其屮STM的空间分辨率最高，横向可达0.lnm,纵向优于O.Olnm,但山于电子束入射光刻胶和衬底后会产生散射，因而

8、限制了实际的分辨率（即邻近效应）。目前电子束曝光技术中的主导加工技术为圆形电子束和成形电子束曝光，成形电子束目前最小分辨率一般大于lOOnm,圆形电子束的最高分辨率