纳米晶Ni-Mo合金电沉积工艺.pdf

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1、第33卷第12期2011年12月舰船科学技术SHIPSCIENCEANDTECHNOLOGYV01.33,No.12Dec.,2011纳米晶Ni—Mo合金电沉积工艺魏海兴,周振芳,吕东方,马强(中国船舶重工集团公司第七一八研究所,河北邯郸056027)摘要:采用电沉积法制备Ni—Mo合金电极,通过测定电极在30%KOH溶液中的阴极极化曲线,研究不同沉积条件(钼盐浓度、pH值、沉积电流密度、沉积温度)对镀层析氢性能的影响,并用XRD、SEM对镀层进行了表征。结果表明:所获得的镀层为纳米晶结构,镀层表

2、面颗粒分布均匀且具有很大的比表面积。通过正交实验确定了最佳电沉积工艺条件:钼盐浓度32g/L,pH值8.0,沉积电流密度22A·dm~,温度50℃。最佳工艺条件制备出的Ni—Mo合金电极的析氢过电位仅为68mV,比纯Ni电极降低348mV。关键词:Ni—Mo合金;电沉积;析氢反应;过电位中图分类号:0646.54文献标识码:A文章编号:1672—7649(2011)12一0125—04doi:10.3404/j.issn.1672—7649.2011.12.030Researchonelectro

3、depositingtechnologyfornanocrystallineNi-MoalloyelectrodeWEIHai·xing,ZHOUZhen—fang,LVDong—fang,MAQiang(The718ResearchInstituteofCSIC,Handan056027,China)Abstract:Inthispaper,wepreparetheNi-Moalloyelectrodebyelectrodepositing.Theeffectofthepreparecondit

4、ions,suchastheconcentrationofmainsalt,depositioncurrentdensity,pHandtemperaturewereinvestigated.BeforeresearchingtheprepareconditionofNi·Moalloy,theHERactivitywasdiscoveredbysteadystatepolarizationcurve,thestructureandappearanceofthecoatingswasobserve

5、dbySEMandXRD.ItwasfoundthattheroughnessofNi—Moalloybecomemoreobviousandthestructureisnanoerystalline.ItindicatesthattheoverpotentialofNi-Moalloyisonly68mV,whichis348mVlowerthanthatofNielectrode.Keywords:Ni—Moalloy;electrodepositinghydrogen;evolutionre

6、action(HER);overpotential0引言能源是社会发展和进步的推动力,人类文明的进步与发展离不开能源工业的发展。新型的清洁能源不仅能从根本上解决我们所面临的能源危机,同时也有利于我们实现可持续发展的战略目标。氢气来源广泛,是真正的“绿色能源”,科学家预言,氢能将成为21世纪举足轻重的能源之一。在制氢方法中,电解水制氢是较为成熟的一种,且易于工业化。但是由于析氢过电位的存在,能耗较大,成为制约其发展的重要因素。面临此“鸡肋”处境,寻找新型高催化活性的析氢材料迫在眉睫。在众多催化析氢电

7、极材料中,Ni—Mo合金是公认的最有希望实现工业应用的¨o。电沉积法制备Ni—Mo合金是目前常用的制备方法,该技术简便易行,造价低廉,在经济意义上具有很明显的优势。但是在电沉积过程中,影响制备的工艺条件很多,例如镀液种类、成份配比、电沉积时电流密度、温度、pH值等。本文将直接从电化学析氢性能人手,针对钼盐浓度、pH值、沉积电流密度、沉积温度4个主要影响因素进行考察,分别进行单因素摸索实验和正交试验,通过阴极极化曲线测试对电沉积Ni-Mo合金的工艺进行优化。收稿日期:2011—01—17;修回日期:

8、201l-02-18作者简介:魏海兴(1985一),女,硕士研究生,从事碱性水电解电极的研究。·126·舰船科学技术第33卷1实验部分1.1Ni—Mo合金制备原理Mo不能单独从水溶液电沉积析出,但可以同铁族元素进行诱导共沉积。现在普遍认为,Mo进行的是多步还原,即六价Mo(在碱性溶液中主要以M0042-存在)首先在阴极表面还原成低价的钼氧化物MoO:,然后在诱导金属的作用下,MoO:还原为零价Mo。文献[2]认为,在氨性柠檬酸盐溶液中,两级反应是按照以下过程发生的:[Nicit(N

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