英飞凌tricore用户手册 第5章 程序管理单元.pdf

英飞凌tricore用户手册 第5章 程序管理单元.pdf

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1、TC1728程序存储器单元(PMU)5程序存储器单元(PMU)该家族的器件至少有一个程序存储器单元,被称为“PMU0”。高端的器件有额外的PMU,称为“PMU1”。TC1728只有PMU0。PMU0包括下面的子模块:Flash命令和程序Flash,数据Flash的取指控制接口带有支持在线数据获得(OLDA)的重叠RAM接口BootROM接口仿真器存储器接口当地存储器总线LMB从接口下列存储器属于PMU0,并由其控制:1.5M字节的程序Flash存储器(PFLASH)64K字节的数据Flash

2、存储器(DFLASH),其可代表高达16K字节EEPROM16k字节的BootRom(BROM)8K字节的重叠RAM(OVRAM)图5-1表示PMU0的框图用户手册5-1V1.0,2011-12PMU,V1.47TC1728程序存储器单元(PMU)图5-1PMU0框图用户手册5-2V1.0,2011-12PMU,V1.47TC1728程序存储器单元(PMU)5.1BootROMPMU0中的BootROM的大小有16KB,以64位的双字形式存储。BootROM基本包括两个部分,用于:启动和引导软件(也

3、被称为固件),和工厂测试例程5.1.1地址BootROM在两个位置可见,其在内存映射可见:在从位置8FFFC000H开始的地址段8H(缓存空间)在从位置AFFFC000H开始的地址段AH(非缓存空间)在任何一种复位后,硬件控制的启动地址是AFFFC000H。启动过程的第一条指令存储并开始于这个位置。在复位后不支持另一个启动位置,保证在复位后总是只执行BootROM中的唯一一种启动固件。5.1.2固件程序结构BootROM里固件的不同部分提供了复位后的启动和引导加载模式,正如:启动软件,其在复位后执

4、行在BootROM里的主要控制固件。引导程序加载器,其通过串口下载程序代码到PMI的暂存RAM(SPRAM),并开始执行代码。其它引导加载模式,其在启动用户程序之前提供Flash区域的CRC检验和测试。如果芯片是仿真芯片,支持仿真。BootROM也包括特殊例程,其用于测试器件的压力和质量。用户手册5-3V1.0,2011-12PMU,V1.47TC1728程序存储器单元(PMU)5.2重叠RAM和数据获取PMU0提供了重叠存储器OVRAM,特别用于通过使用数据重叠功能重定向对OVRAM程序存储器的访

5、问。数据重叠功能本身在DMI模块里被控制,以避免在重定向执行中的行为,并支持外部存储器。为了在线数据获取(OLDA)应用或者校准数据,提供一个虚拟的32KB存储器区域,其可在无需错误报告的情况下被访问。对OLDA区域的访问也可以被重定向到重叠存储器。5.2.1内部重叠存储器OVRAM的大小是8KB。OVRAM的基地址是A/8FE80000H。在产品器件和仿真器件中,内部重叠存储器OVRAM都可用。可以字节、半字、字和双字的宽度对重叠存储器OVRAM进行写访问。读访问以64位宽度执行。不支持读-修改-写访问

6、。如器件中的其他所有SRAM一样,OVRAM同样也是ECC保护的。在OVRCON寄存器中,ECC产生和检测被使能。在使能后,OVRAM应在执行任何读访问前由用户初始化。对OVRAM的字节或者半字的写访问可能导致ECC错误检测(因为读—修改—写)如果在访问存储器前没有先初始化。ECC错误报告给SCU用于错误指示的控制和NMI陷阱的控制(在复位后禁止)。5.2.2在线数据获取(OLDA)高达32KB的OLDA存储器范围额外地支持校准,它是一个虚拟的存储器,只有重定向(由用户定义的重叠函数)到内部OVRAM或到

7、仿真存储器EMEM(仿真器设备)或到外部存储器的重叠区域时才物理可用。因此,如果没有重定向,对OLDA区域的写访问不会真正地执行,并且不会产生总线错误陷阱。如果不重定向到物理可用的重叠块时,对产品设备OLDA区域的读访问时产生总线错误陷阱。在重定向到OVRAM后,为了实现字节/半字/字的写访问,ECC错误可能会被报告。(见上面)虚拟的OLDA存储器范围的基地址是A/8FE70000H(非缓存空间),结束地址是A/8FE77FFFH。用户手册5-4V1.0,2011-12PMU,V1.47TC1728程序存

8、储器单元(PMU)5.2.3访问行为以字节、半字和字对PMU重叠存储器OVRAM的写访问在两个周期执行(因为ECC产生的读-修改-写),双字的话在一个周期完成。对OVRAM的读访问需要一个周期。此外,对于读和写访问,在PMU里需要一个周期用于地址选择。突发访问(BTR2)需要一个(对于读)或者两个(对于写)额外的周期。5.2.4重叠存储器控制寄存器通过重叠RAM控制寄存器OVRCON控制OVRAM的OLDA功能和ECC保护。位

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