Si(111)薄膜的结构与形貌研究-论文.pdf

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1、第37卷第3期穗有金属2013年5月Vo1.37No.3CHINESEJOURNALOFRAREMETALSMav2013高真空脉冲激光沉积Ceo2(111)/Si(111)薄膜的结构与形貌研究孙小庆,魏峰,杨志民,陈秋云,陈军(1.北京有色金属研究总院先进电子材料研究所,北京100088;2.表面物理与化学重点实验室,四川绵阳621907)摘要:在高真空条件下,采用脉冲激光沉积法在si(111)衬底上制备了高度(111)取向的CeO2薄膜。使用反射高能电子衍射仪对薄膜制备过程进行了原位监测,衍射花样为清晰条纹状,显示薄膜结晶质量较好

2、,表面平整光滑。采用X射线衍射仪对不同衬底温度、不同激光能量制备的薄膜进行了结构表征,随着温度升高和能量增强,CeO2薄膜(111)峰逐渐增强且峰位越来越靠近标准峰位,表明CeO:薄膜的取向性变好且薄膜应力逐渐下降。通过椭偏仪对薄膜的折射率进行了表征,结果表明薄膜的光学性能强烈依赖其结晶质量,结晶质量最好的样品折射率接近单晶薄膜。使用高分辨透射电镜表征了样品的横断面,照片显示薄膜内部原子排列有序,结晶质量较好,部分区域与衬底取向略有偏差。关键词:氧化铈;脉冲激光沉积法;结构特征;表面形貌;折射率doi:10.3969/j.issn.0

3、258—7076.2013.03.009中图分类号:TB383文献标识码:A文章编号:0258—7076(2013)03—0389—07StructureandMorphologyofCeO2FilmsDepositedonSi(111)SubstratesbyPulsedLaserDepositioninHighVacuumAtmosphereSunXiaoqing,WeiFeng,YangZhiminh,ChenQiuyun,ChenJun(1.AdvancedElectronicMaterialInstitute,General

4、ResearchInstituteforNonferrousMetals,Beijing100088,Chi—na;2.ScienceandTechnologyonSu~CacePhysicsandChemistryLaboratory,Mianyang621907,China)Abstract:Highly(111)orientedCeO2thinfilmsweredepositedonSi(111)substratesinhighvacuumatmosphereusingpulsedla—serdeposition(PLD).Th

5、egrowthbehaviorwasmonitoredbyreflectionhighenergyelectrondifraction(RHEED)insitu.Theresultsshowedthatthedifractionpatternsofthefilmswerestriatedandclear.whichmeantthatthesampleshadahishcrystalqualityandtheirsurfacewassmooth.X—raydifraetometer(XRD)wa$employedtoinvestigat

6、ethestructureofCeO2films.Asthesubstratetem—peratureandlaserenergyincreased,orientationrelationshipandcrystallizationwereimprovedandintemalstressreleased,(111)dif-fractionpeakapproachedtothepositionofstandarddifractionpeak.Thespectroscopicellipsometryindicatedthattherefr

7、activeindex0fthefilmdependedonthecrystallizationquality.TherefractiveindexofthesamplewithoptimumcrystalqualitywasquiteclosetothatofsinglecrystalCeO2film.HRTEMimagesshowedthattheas-preparedsamplerevealedagoodcrystalperformance,butaslightdeviationoforientationexistedinsom

8、eregion.Keywords:CeO2;pulsedlaserdeposition;structure;morphology;refractiveindex收稿日期:2012一o4—23;修订日期:2012—06—2

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